Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2013

Հատոր:

vol. 48

Համար:

№ 2

ISSN:

0002-3035

Այլ վերնագիր:

Կետային լիցքի պոտենցիալը գլանային համաչափությամբ կիսահաղորդչային հետերոկառուցվածքում; Potential of point charge in a semiconductor heterostructure with cylindrical symmetry

Ծածկույթ:

125-135

Ամփոփում:

Выведены общие выражения для потенциала точечного заряда в коаксиальной полупроводниковой гетероструктуре, состоящей из трех цилиндрических областей с различными значениями диэлектрических постоянных, при произвольном положении точечного заряда в гетероструктуре.Արտածված են կետային լիցքի պոտենցիալի ընդհանուր արտահայտություններ տարբեր դիէլեկտրական հաստատուններով գլանային տիրույթներից կազմված գլանային կիսահաղորդչային հետերոկառուցվածքում կետային լիցքի կամայական դիրքի համար: General expressions for the potential of a point charge in a coaxial semiconductor heterostructure composed by three cylindrical regions with different dielectric constants and for arbitrary location of the charged center in the heterostructure are derived.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ

Ստեղծման ամսաթիվը:

2013-03-25

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134464

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան