Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Потенциал точечного заряда в полупроводниковой гетероструктуре с цилиндрической симметрией
Այլ վերնագիր:
Ստեղծողը:
А. А. Киракосян ; Н. Г. Мовсисян ; Ш. Г. Гаспарян
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Խորագիր:
Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics
Չվերահսկվող բանալի բառեր:
Կիրակոսյան Ա. Ա. ; Մովսիսյան Ն. Գ. ; Գասպարյան Շ. Գ. ; Kirakosyan A. A. ; Movsisyan N. G. ; Gasparyan Sh. G.
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
Выведены общие выражения для потенциала точечного заряда в коаксиальной полупроводниковой гетероструктуре, состоящей из трех цилиндрических областей с различными значениями диэлектрических постоянных, при произвольном положении точечного заряда в гетероструктуре.Արտածված են կետային լիցքի պոտենցիալի ընդհանուր արտահայտություններ տարբեր դիէլեկտրական հաստատուններով գլանային տիրույթներից կազմված գլանային կիսահաղորդչային հետերոկառուցվածքում կետային լիցքի կամայական դիրքի համար: General expressions for the potential of a point charge in a coaxial semiconductor heterostructure composed by three cylindrical regions with different dielectric constants and for arbitrary location of the charged center in the heterostructure are derived.