Ցույց տուր կառուցվածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2013

Հատոր:

48

Համար:

2

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Потенциал точечного заряда в полупроводниковой гетероструктуре с цилиндрической симметрией

Այլ վերնագիր:

Կետային լիցքի պոտենցիալը գլանային համաչափությամբ կիսահաղորդչային հետերոկառուցվածքում; Potential of point charge in a semiconductor heterostructure with cylindrical symmetry

Ստեղծողը:

А. А. Киракосян ; Н. Г. Мовсисян ; Ш. Г. Гаспарян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Կիրակոսյան Ա. Ա. ; Մովսիսյան Ն. Գ. ; Գասպարյան Շ. Գ. ; Kirakosyan A. A. ; Movsisyan N. G. ; Gasparyan Sh. G.

Ծածկույթ:

125-135

Ամփոփում:

Выведены общие выражения для потенциала точечного заряда в коаксиальной полупроводниковой гетероструктуре, состоящей из трех цилиндрических областей с различными значениями диэлектрических постоянных, при произвольном положении точечного заряда в гетероструктуре.Արտածված են կետային լիցքի պոտենցիալի ընդհանուր արտահայտություններ տարբեր դիէլեկտրական հաստատուններով գլանային տիրույթներից կազմված գլանային կիսահաղորդչային հետերոկառուցվածքում կետային լիցքի կամայական դիրքի համար: General expressions for the potential of a point charge in a coaxial semiconductor heterostructure composed by three cylindrical regions with different dielectric constants and for arbitrary location of the charged center in the heterostructure are derived.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2013-03-25

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան