Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2008

Հատոր:

43

Համար:

5

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Սիլիցիումային կիսահաղորդչային սարքերի պարամետրերի վրա տարբեր ճառագայթահարումների ազդեցությունը; Influence of different type irradiation on the parameters of silicon semiconductor devices

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

348-354

Ամփոփում:

Большее внимание уделено транзисторам как наименее радиационно стойким структурам. Показано, что при протонном облучении изменение соответствующих параметров происходит при сравнительно меньших дозах облучения. Հատուկ ուշադրություն է դարձված տրանզիստորների վրա` որպես ճառագայթահարման տեսակետից առավել անկայուն կառուցվածք: Ցույց է տրված, որ սարքերի հատկությունները փոփոխվում են պրոտոնների ավելի ցածր դոզաների դեպքում` համեմատած մյուս ճառագայթումներին: Special attention was given on the transistors as a most sensitive structure to irradiation. It was shown that corresponding parameters change at lower doses in the case of proton irradiation in comparison with other irradiations.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2008-09-16

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134119

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան