Սիլիցիումային կիսահաղորդչային սարքերի պարամետրերի վրա տարբեր ճառագայթահարումների ազդեցությունը; Influence of different type irradiation on the parameters of silicon semiconductor devices

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Սահակյան Վ. Ա. ; Sahakyan V. A.

348-354

Большее внимание уделено транзисторам как наименее радиационно стойким структурам. Показано, что при протонном облучении изменение соответствующих параметров происходит при сравнительно меньших дозах облучения. Հատուկ ուշադրություն է դարձված տրանզիստորների վրա` որպես ճառագայթահարման տեսակետից առավել անկայուն կառուցվածք: Ցույց է տրված, որ սարքերի հատկությունները փոփոխվում են պրոտոնների ավելի ցածր դոզաների դեպքում` համեմատած մյուս ճառագայթումներին: Special attention was given on the transistors as a most sensitive structure to irradiation. It was shown that corresponding parameters change at lower doses in the case of proton irradiation in comparison with other irradiations.