Publication Details:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Title:
Действие различных видов облучения на параметры кремниевых полупроводниковых приборов
Other title:
Creator:
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Subject:
Physics ; Science ; Radiophysics
Uncontrolled Keywords:
Սահակյան Վ. Ա. ; Sahakyan V. A.
Coverage:
Abstract:
Большее внимание уделено транзисторам как наименее радиационно стойким структурам. Показано, что при протонном облучении изменение соответствующих параметров происходит при сравнительно меньших дозах облучения. Հատուկ ուշադրություն է դարձված տրանզիստորների վրա` որպես ճառագայթահարման տեսակետից առավել անկայուն կառուցվածք: Ցույց է տրված, որ սարքերի հատկությունները փոփոխվում են պրոտոնների ավելի ցածր դոզաների դեպքում` համեմատած մյուս ճառագայթումներին: Special attention was given on the transistors as a most sensitive structure to irradiation. It was shown that corresponding parameters change at lower doses in the case of proton irradiation in comparison with other irradiations.