Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2008

Հատոր:

43

Համար:

2

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

ZnO:Ga և ZnO:Li թաղանթների հետ մետաղ–կիսահաղորդիչ–մետաղ շերտավոր կառուցվածքների լուսահաղորդականությունը; Photoconductivity in metal- semiconductor- metal planar structurer with ZnO:Ga and ZnO:Li films

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

143-151

Ամփոփում:

Иследовано влияние УФ излучения на фотоэлектрические свойства пленок ZnO:Ga и ZnO:Li, полученных методом электронно-лучевого напыления. Фотопроводимость измерялась с использованием планарной структуры металл–полупроводник–металл, где в качестве омических электродов использовался металлический алюминий. Ուսումնասիրված են էլեկտրոնային փնջի փոշենստեցման եղանակով ստացված ZnO:Ga և ZnO:Li թաղանթների լուսաէլեկտրական հատկությունները ուլտրամանուշակագույն լույսի ազդեցության տակ: Լուսահաղորդականությունն ուսումնասիրվել է մետաղ-կիսահաղորդիչ-մետաղ շերտավոր կառուցվածքների կիրառմամբ, որտեղ որպես օհմական էլեկտրոդ կիրառվել է մետաղական ալյումինիումը: Influence of UV radiation on photoelectric properties of ZnO:Ga and ZnO:Li films prepared by the electron- beam evaporation method has been investigated. The photoconductivity was measured with use of a planar structure metal- semiconductor- metal where metallic aluminum was used as ohmic electrodes.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2008-03-25

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134083

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան