Фотопроводимость в планарных структурах металл–полупроводник–металл с пленками ZnO:Ga и ZnO:Li

ZnO:Ga և ZnO:Li թաղանթների հետ մետաղ–կիսահաղորդիչ–մետաղ շերտավոր կառուցվածքների լուսահաղորդականությունը; Photoconductivity in metal- semiconductor- metal planar structurer with ZnO:Ga and ZnO:Li films

Н. Р. Агамалян ; Р. К. Овсепян

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Physics ; Science ; Indexes

Աղամալյան Ն. Ռ. ; Հովսեփյան Ռ. Կ. ; Aghamalyan N. R. ; Hovsepyan R. K.

143-151

Иследовано влияние УФ излучения на фотоэлектрические свойства пленок ZnO:Ga и ZnO:Li, полученных методом электронно-лучевого напыления. Фотопроводимость измерялась с использованием планарной структуры металл–полупроводник–металл, где в качестве омических электродов использовался металлический алюминий. Ուսումնասիրված են էլեկտրոնային փնջի փոշենստեցման եղանակով ստացված ZnO:Ga և ZnO:Li թաղանթների լուսաէլեկտրական հատկությունները ուլտրամանուշակագույն լույսի ազդեցության տակ: Լուսահաղորդականությունն ուսումնասիրվել է մետաղ-կիսահաղորդիչ-մետաղ շերտավոր կառուցվածքների կիրառմամբ, որտեղ որպես օհմական էլեկտրոդ կիրառվել է մետաղական ալյումինիումը: Influence of UV radiation on photoelectric properties of ZnO:Ga and ZnO:Li films prepared by the electron- beam evaporation method has been investigated. The photoconductivity was measured with use of a planar structure metal- semiconductor- metal where metallic aluminum was used as ohmic electrodes.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան