Object structure

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2008

Volume:

43

Number:

2

ISSN:

0002-3035

Official URL:


Title:

Фотопроводимость в планарных структурах металл–полупроводник–металл с пленками ZnO:Ga и ZnO:Li

Other title:

ZnO:Ga և ZnO:Li թաղանթների հետ մետաղ–կիսահաղորդիչ–մետաղ շերտավոր կառուցվածքների լուսահաղորդականությունը; Photoconductivity in metal- semiconductor- metal planar structurer with ZnO:Ga and ZnO:Li films

Creator:

Н. Р. Агамалян ; Р. К. Овсепян

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Subject:

Physics ; Science ; Indexes

Uncontrolled Keywords:

Աղամալյան Ն. Ռ. ; Հովսեփյան Ռ. Կ. ; Aghamalyan N. R. ; Hovsepyan R. K.

Coverage:

143-151

Abstract:

Иследовано влияние УФ излучения на фотоэлектрические свойства пленок ZnO:Ga и ZnO:Li, полученных методом электронно-лучевого напыления. Фотопроводимость измерялась с использованием планарной структуры металл–полупроводник–металл, где в качестве омических электродов использовался металлический алюминий. Ուսումնասիրված են էլեկտրոնային փնջի փոշենստեցման եղանակով ստացված ZnO:Ga և ZnO:Li թաղանթների լուսաէլեկտրական հատկությունները ուլտրամանուշակագույն լույսի ազդեցության տակ: Լուսահաղորդականությունն ուսումնասիրվել է մետաղ-կիսահաղորդիչ-մետաղ շերտավոր կառուցվածքների կիրառմամբ, որտեղ որպես օհմական էլեկտրոդ կիրառվել է մետաղական ալյումինիումը: Influence of UV radiation on photoelectric properties of ZnO:Ga and ZnO:Li films prepared by the electron- beam evaporation method has been investigated. The photoconductivity was measured with use of a planar structure metal- semiconductor- metal where metallic aluminum was used as ohmic electrodes.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2008-03-25

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան