Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2007

Volume:

42

Number:

6

ISSN:

0002-3035

Official URL:

Other title:

Կիսահաղորդչի մակերևութային պոտենցիալի ֆլուկտուացիան Si–SiO2 կառուցվածքներում ճառագայթահարումից և թրծումից հետո; Fluctuation of the semiconductor surface potential in Si–SiO2 structure after irradiation and subsequent annealing

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

382-388

Abstract:

Измерением параметров поверхностных состояний исследованы флуктуации поверхностного потенциала полупроводника в структуре Si–SiO2, вызванные облучением частицами высокой энергии (электроны с энергией 50 МэВ и ионы мышьяка с энергией 40 кэВ) и последующим отжигом. Մակերևութային մակարդակների պարամետրերի չափման մեթոդով SiO2-Si կառուցվածքներում ուսունասիրված է կիսահաղորդչի մակերևութային պոտենցիալի ֆլուկտուացիան տարբեր տեսակի բարձր էներգիայով օժտված մասնիկներով ճառագայթահարումից (50 ՄէՎ էներգիայով էլեկտրոններ և 40 կէՎ էներգիայով արսենի իոններ) և թրծումից հետո: Fluctuations of the semiconductor surface potential in a Si–SiO2 structure induced by irradiations with various high-energy particles (electrons with the 50 MeV energy and arsenic ions with the 40 keV energy) and by the subsequent annealing are investigated by measurements of semiconductor interface state parameters.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2007-12-20

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:134055

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան