Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Հրապարակման ամսաթիւ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Այլ վերնագիր:
Ստեղծողը:
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Խորագիր:
Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics
Չվերահսկուող բանալի բառեր:
Սահակյան Ա. Ա. ; Sahakyan A. A.
Ծածկոյթ:
Ամփոփում:
Измерением параметров поверхностных состояний исследованы флуктуации поверхностного потенциала полупроводника в структуре Si–SiO2, вызванные облучением частицами высокой энергии (электроны с энергией 50 МэВ и ионы мышьяка с энергией 40 кэВ) и последующим отжигом. Մակերևութային մակարդակների պարամետրերի չափման մեթոդով SiO2-Si կառուցվածքներում ուսունասիրված է կիսահաղորդչի մակերևութային պոտենցիալի ֆլուկտուացիան տարբեր տեսակի բարձր էներգիայով օժտված մասնիկներով ճառագայթահարումից (50 ՄէՎ էներգիայով էլեկտրոններ և 40 կէՎ էներգիայով արսենի իոններ) և թրծումից հետո: Fluctuations of the semiconductor surface potential in a Si–SiO2 structure induced by irradiations with various high-energy particles (electrons with the 50 MeV energy and arsenic ions with the 40 keV energy) and by the subsequent annealing are investigated by measurements of semiconductor interface state parameters.