Влияние профиля распределения примесей в пролетной области на ВЧ характеристики инжекционно-пролетных диодов

В. М. Арутюнян; В. В. Буниатян

Малосигнальный анализ инжекционно-пролетных диодов с квантовыми ямами

В. М. Арутюнян В. В. Буниатян С. Г. Петросян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Вольт-фарадные характеристики SiC полевых транзисторов с барьером Шоттки

В. В. Буниатян В. М. Арутюнян Л. А. Микаелян Ваз. В. Буниатян П. Сукиасян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Влияние захвата на ловушки инжектированных в пролетное пространство носителей заряда на характеристики инжекционно-пролетных диодов

В. М. Арутюнян В. В. Буниатян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Object

Title: Влияние профиля распределения примесей в пролетной области на ВЧ характеристики инжекционно-пролетных диодов

Creator:

Type:

Publication Details:

Journal or Publication Title:

Date of publication:

Volume:

Number:

ISSN:

Official URL:

Other title:

Contributor(s):

Coverage:

Publisher:

Date created:

Format:

Identifier:

Call number:

Location of original object:

Subject and keywords:

Object collections:

Last modified:

In our library since:

Number of object content hits:

All available object's versions:

Show description in RDF format:

Show description in OAI-PMH format:

Objects

Similar

Contact details

Address

Phone

E-Mail

Visit us!