Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

1998

Հատոր:

33

Համար:

1

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Влияние профиля распределения примесей в пролетной области на ВЧ характеристики инжекционно-пролетных диодов

Այլ վերնագիր:

Թռիչքային տիրույթում խառնուրդների բաշխման բնույթի ազդեցությունը ինժեկցիոն-թռիչքային դիոդների բարձրահաճախական բնութագրերի վրա; Influence of profile of doping density in the transit-time region on the microwave characteristics of baritt diodes

Ստեղծողը:

В. М. Арутюнян ; В. В. Буниатян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Radiophysics

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Հարությունյան Վ. Մ. ; Բունիաթյան Վ. Վ. ; Aroutiounian V. M. ; Buniatian V. V.

Ծածկույթ:

22-30

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

1998-01-29

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան