Уменьшение порогового напряжения и стабилизация заряда на границе Si-SiO2 в МОП структурах с использованием поликристаллического кремния в качестве второго слоя диэлектрика

Р. А. Багдасарян; С. А. Саркисян; К. О. Хачатрян; Г. Г. Ширакян

Object

Edition name

Date

Уменьшение порогового напряжения и стабилизация заряда на границе Si-SiO2 в МОП структурах с использованием поликристаллического кремния в качестве второго слоя диэлектрика

May 5, 2025

Objects

Similar

Расчет ближнего порядка в α-Ag-Zn методом псевдопотенциалов

Р. И. Багдасарян В. М. Силонов А. А. Кацнельсон Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Расщепление оптического резонанса N-типа, формирующегося в Λ-системе атомов изотопа 85Rb в сильном поперечном магнитном поле

А. Д. Саргсян Р. К. Мирзоян А. С. Саркисян А. О. Амирян Д. Г. Саркисян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Object

Creator:

Type:

Publication Details:

Journal or Publication Title:

Date of publication:

Volume:

Number:

ISSN:

Official URL:

Other title:

Contributor(s):

Coverage:

Publisher:

Date created:

Format:

Identifier:

Call number:

Location of original object:

Subject and keywords:

Object collections:

Last modified:

In our library since:

Number of object content hits:

All available object's versions:

Show description in RDF format:

Show description in OAI-PMH format:

Objects

Similar

Contact details

Address

Phone

E-Mail

Visit us!