Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

1980

Հատոր:

15

Համար:

1

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Уменьшение порогового напряжения и стабилизация заряда на границе Si-SiO2 в МОП структурах с использованием поликристаллического кремния в качестве второго слоя диэлектрика

Այլ վերնագիր:

Բազմաբյուրեղային սիլիցիումի օգտագործումը ՄՕԿ ստրուկտուրաներում որպես դիէլեկտրիկ երկրորդ շերտ շեմային լարման փոքրացման և Si-SiO2 սահմանի լիցքի կայունացման համար; The decrease of threshold voltage and of charge stabilization at Si-SiO2 interface in MOS structures using polycrystalline silicon as a second insulator layer

Ստեղծողը:

Р. А. Багдасарян ; С. А. Саркисян ; К. О. Хачатрян ; Г. Г. Ширакян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Radiophysics

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Բաղդասարյան Ռ. Ա. ; Սարգսյան Ս. Ա. ; Խաչատրյան Կ. Հ. ; Շիրակյան Գ. Գ. ; Bagdasaryan R. A. ; Sarkisyan S. A. ; Khachatryan K. O. ; Shirakyan G. G.

Ծածկույթ:

44-48

Հրատարակիչ:

ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ․

Ստեղծման ամսաթիվը:

1980-01-09

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան