Advanced search ?

Object

Двойная инжекция в полупроводник, компенсированный глубокими акцепторами, расположенными в нижней половине запрещенной зоны

Download

Title: Двойная инжекция в полупроводник, компенсированный глубокими акцепторами, расположенными в нижней половине запрещенной зоны

Creator:

В. М. Арутюнян

Type:

Հոդված

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

1974

Volume:

9

Number:

4

Official URL:


Other title:

Կրկնակի ինժեկցիա արգելված զոնայի ներքևի մասում գտնվող խորը մակարդակներով համակշռված կիսահաղորդչում; Double injection into semiconductor compensated by deep acceptors lying in the lower half of forbidden band

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

316-321

Publisher:

ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ․

Date created:

1974-08-13

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:131695

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Subject and keywords:

Physics Science Physics of Semiconductors Radiophysics Հարությունյան Վ. Մ. Harutyuyan V. M.

Object collections:

Last modified:

May 5, 2025

In our library since:

Apr 21, 2020

Number of object content hits:

34

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/144737

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

Edition name Date
Двойная инжекция в полупроводник, компенсированный глубокими акцепторами, расположенными в нижней половине запрещенной зоны May 5, 2025

Objects

Similar

Влияние захвата на ловушки инжектированных в пролетное пространство носителей заряда на характеристики инжекционно-пролетных диодов

В. М. Арутюнян В. В. Буниатян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

О модельном представлении физических процессов в пористых полупроводниках

В. М. Арутюнян М. Ж. Гулинян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Инжекционная электролюминесценция в варизонных структурах с двойной инжекцией

В. М. Арутюнян М. Ж. Гулинян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

К теории двойной инжекции в компенсированных полупроводниках, содержащих глубокие акцепторные центры и электронные уровни прилипания

Г. М. Авакьянц В. М. Арутюнян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Двойная инжекция в полупроводник с изменяющимися с ростом тока временами жизни электронов и дырок

Г. М. Авакьянц В. М. Арутюнян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Фотоэлектрические свойства примесного фотоприемника из Si < Zn >

Ф. В. Гаспарян В. М. Арутюнян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Импеданс p+-n-n+ - структур из полупроводника, компенсированного двухзарядными центрами

В. М. Арутюнян Ф. В. Гаспарян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Самодифракция мощного лазерного излучения в полупроводнике

Г. М. Арутюнян С. В. Арутюнян Т. Н. Гарегинян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված
More

Contact details

Address

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Մարշալ Բաղրամյան 24/6
Երևան 0019

Phone

(+374) 10 524750

E-Mail

info@flib.sci.am

Visit us!

This page uses 'cookies'. More information