An error has occurred, the report has not been sent. Please check if the data is valid or try again later.
Report a problem related to object: Уменьшение порогового напряжения и стабилизация заряда на границе Si-SiO2 в МОП структурах с использованием поликристаллического кремния в качестве второго слоя диэлектрика