Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Sargsyan A. D., Sarkisyan D. H.
Study of the Van-der-Waals Effect in Potassium Atomic Vapours
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Экспериментально исследован эффект Вандер-Ваальса (VW) в атомарных парах 39K с использованием наноячейки, изготовленной из технического сапфира. При расстояниях атома от поверхности сапфира менее 100 нм происходит сильное уширение атомных переходов и их частотные сдвиги в низкочастотную область спектра. В качестве субдоплеровского метода был применен метод селективного отражения (SR) лазерного излучения от границы «сапфировое окно−атомные пары», что позволило измерить коэффициент VW взаимодействия C3 для атома калия. Показано, что изменение толщины наноячейки от 100 до 50 нм приводит к уменьшению C3, вычисленного из «красного» VW смещения, т.е. экспериментально зарегистрировано так называемое «замедление» эффекта VW, которое предсказывалось в теоретических работах. Полученные результаты важны при разработке миниатюрных субмикронных устройств, содержащих пары атомов.
The van-der-Waals effect (VW) in 39K atomic vapours was experimentally studied using a nanocell made of technical sapphire. At distances of an atom from the sapphire surface of less than 100 nm, a strong broadening of atomic transitions and their frequency shifts to the low-frequency region of the spectrum occur. The method of selective reflection (SR) of laser radiation from the sapphire window-atomic vapours boundary was used as a sub-Doppler method, which made it possible to measure the VW interaction coefficient C3 for the potassium atoms. It was shown that a change in the nanocell thickness from 100 to 50 nm leads to a decrease in C3 calculated from the "red" VW shift, i.e. the so-called "retardation" of the VW effect, which was predicted in theoretical works, was experimentally registered. The obtained results are important in the development of miniature submicron devices containing atomic vapours.
click here to follow the link ; oai:arar.sci.am:422302
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Nov 5, 2025
Nov 5, 2025
5
https://arar.sci.am/publication/454779
| Edition name | Date |
|---|---|
| Саргсян, А. Д., Исследование эффекта Ван-дер-Ваальса в парах атомов калия | Nov 5, 2025 |
Дерзян, М. В. Ованесян, К. Л. Еганян, А. В. Гамбарян, И. A. Бадалян, Г. P. Горбаченя, К. Н. Кисель, В. Э. Кулешов, Н. В. Петросян, А. Г. Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Саргсян, А. Д. Саркисян, Д. Г. Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Саргсян, А. Д. Саркисян, Д. Г. Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Саргсян, А. Д. Саркисян, А. С. Саркисян, Д. Г. Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
А. Д. Саргсян А. С. Саркисян Д. Г. Саркисян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Саргсян, А. Д. Саркисян, Д. Г. Бостанджян, Д. Е. Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
А. Д. Саргсян Г. Т. Ахумян Д. Г. Саркисян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
А. Д. Саргсян Г. Т. Ахумян А. С. Саркисян А. О. Амирян Д. Г. Саркисян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)