Object

Title: Մետաղների և կիսահաղորդիչների դիմադրության ջերմաստիճանային կախվածությունից որոշ ֆիզիկական բնութագրերի որոշումը

Journal or Publication Title:

Խ․ Աբովյանի անվան հայկական պետական մանկավարժական համալսարան․ Գիտական տեղեկագիր

Date of publication:

2017

Number:

1 (30)

ISSN:

1829-0523

Official URL:


Additional Information:

Карапетян Ф. С., Саканян Р. С., Karapetyan F. S․, Sakanyan R. S.

Other title:

Определение некоторых физических характеристик металлов и полупроводников исходя из температурной зависимости сопротивления ; Determination Of Several Physical Characteristics Of Metals And Semiconductors Based On The Dependence Of Resistance On Temperature

Contributor(s):

Գլխավոր խմբ.՝ Ա․ Վ․ Բաբախանյան

Coverage:

52-57

Abstract:

Հետազոտվել է -ի և -ի դիմադրությունների կախումը ջերմաստիճանից: Պարզ փորձնական հետազոտության արդյունքներից որոշվել են մետաղների և կիսահաղորդիչների բավականին կարևոր հաստատուններ` դիմադրության ջերմաստիճանային գործակիցը, արգելված գոտու լայնությունը, տեսակարար դիմադրությունը, տեսակարար հաղորդականությունը, լիցքակիրների շարժունակությունը և կոնցենտրացիան: Դիմադրության ջերմաստիճանային կախվածության հետազոտությունները կատարվել են -ի և -ի համար 200C - 1200C ջերմաստիճանային տիրույթում: Որոշված պարամետրները օգտագործվում են կիսահաղորդիչների մաքրությունը գնահատելու համար, քանի որ խառնուրդի աննշան քանակը զգալի փոխում է լիցքակիրների կոնցենտրացիան և էլեկտրահաղորդականությունը:
В работе исследована зависимость сопротивления металлов и полупроводников от температуры. На основании предложенного простого метода исследования температурной зависимости сопротивления были определены следующие важные параметры металлов и полупроводников: ширина запрещенной зоны, удельная проводимость, удельное сопротивление, температурный коэффициент сопротивления, подвижность и концентрация заряженных частиц. Исследования температурной зависимости сопротивления для и были осуществлены в интервале температур 200C- 1200C. Некоторые из этих параметров используются для оценки чистоты полупроводников, так как незначительное количество примеси заметно меняют концентрацию заряженных частиц и электропроводность.
The study analyses the dependence of the resistance of metals and semiconductors on temperature. Based on the experimental results of temperature dependence on resistivity the following important parameters of metals and semiconductors have been identified: the width of the forbidden zone, specific electrical conductivity, specific resistivity, temperature coefficient of resistance, mobility and concentration of charged particles. The study of temperature dependence on resistance for Cu and Ge were carried out in the temperature range 200C - 1200C. Some of the identified parameters are used to assess the purity of semiconductors, as even a very small change in consistency significantly change the concentration of charged particles and their electrical conductivity.

Place of publishing:

Երևան

Publisher:

Մանկավարժ հրատ․

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:371816

Digitization:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Object collections:

Last modified:

Apr 16, 2024

In our library since:

Mar 27, 2024

Number of object content hits:

8

All available object's versions:

https://arar.sci.am/publication/401702

Show description in RDF format:

RDF

Show description in OAI-PMH format:

OAI-PMH

Objects

Similar

This page uses 'cookies'. More information