Հրապարակման մանրամասներ:
Հանդեսը լույս է տեսնում տարին երկու անգամ:
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Լրացուցիչ տեղեկություն:
Минасян М. В., Минасян А. М., Minasyan M. V., Minasyan A. M.
Վերնագիր:
Հակադարձված (ինվերս) տրանզիստորի որոշ բնութագրերի հետազոտումը
Այլ վերնագիր:
Исследование некоторых характеристик обращенного (инверсного) транзистора ; The study of some characteristics of the inverse transistor
Ստեղծողը:
Մինասյան, Մելս ; Մինասյան, Աննա
Համատեղ հեղինակները:
Աջակից(ներ):
Գլխավոր խմբ.՝ Վալերի Ավանեսյան
Խորագիր:
Չվերահսկվող բանալի բառեր:
հեղեղնային ծակում ; տարանցիկ հոսանք ; ինվերս տրանզիստոր
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
Կատարված է փոխանջատիչի օպտիմալացմանը բերող հետազոտություն: Ինվերս միացումով աշխատող բիպոլյար տրանզիստորում բացահայտվում է էլեկտրական ծակման էականորեն նվազ շեմ՝ նույնում ունենալով նաև հոսանքով կառավարվող բացասական դիֆերենցիալ դիմադրության տեղամաս: Առաջանում է ինքնափոխանջատումների իրականացման հարմարավետություն:
Проведено исследование, оптимизирующее реализацию переключателя. В биполярном транзисторе, работающем в инверсном включении, выявляется существенное понижение порога пробоя, а с учетом высокой вероятности формирования ОС, облегчена также реализация автопереключений.
An optimizing research of the switch was carried out. In a bipolar transistor operating in inverse switching, is revealed a significant lowering of the threshold of the breakdown. And taking into account the negative resistance detected at the same time and controlled by
current, it is also easy to realize auto-switching.
Հրատարակության վայրը:
Ստեփանակերտ
Տեսակ:
Ձևաչափ:
Թվայնացում:
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան