Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Կուզանյան Ա. Ա., Հարությունյան Ս. Ռ., Kuzanyan A. A., Harutyunyan S. R.
Թույլ տեղայնացումը և թույլ հակատեղայնացումը Sb2Te3 գերբարակ նանոթիթեղներում ; Weak Localization and Weak Anti-Localizationin Ultra Thin Sb2Te3 Nanoplates
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Исследована электрическая проводимость нанопластин топологического изолятора Sb2Te3 разной толщины, выращенных методом парофазного осаждения. Выявлены особенности проводимости в зависимости от поперечного магнитного поля (0–9 Тл) и температуры (3–300 К). В магнитном поле ультратонкие нанопластинки Sb2Te3 толщиной около 11 нм демонстрируют гигантскую аномалию слабой антилокализации, сопутствуемую эффектом слабой локализации. Не- прерывное уменьшение электрического сопротивления с понижением температуры и его резкое падение при температуре 4 К является признаком сверхпроводящего перехода. В ультратонких образцах наблюдается перестраиваемый магнитным полем переход сверхпроводник-изолятор.
Ուսումնասիրվել է գոլորշաֆազային փոշենստեցման եղանակով ստացված տարբեր հաստության Sb2Te3 տոպոլոգիական մեկուսիչ նանոթիթեղների էլեկտրահա- ղորդունակությունը: Բացահայտվել են հաղորդականության առանձնահատկություններ կախված լայնակի մագնիսական դաշտից (0–9 Տլ) և ջերմաստիճանից (3–300 Կ): Մագնիսական դաշտում մոտ 11 նմ հաստությամբ գերբարակ Sb2Te3 նանոթիթեղները ցուցաբերում են թույլ հակատեղայնացման հսկա անոմալիա ուղեկցվելով թույլ տեղայնացման ազդեցությամբ: Ջերմաստիճանի նվազմանը զուգահեռ էլեկտրական դիմադրության անընդհատ նվազումը և դրա կտրուկ անկումը 4 Կ ջերմաստիճանում գերհաղորդիչ անցման նշան է: Գերբարակ նմուշներում դիտվում են մագնիսական դաշտի կարգավորելի գերհաղորդիչ-մեկուսիչ անցում:
The electrical conductivity of Sb2Te3 topological insulator nanoplates of different thickness, grown by vapor-phase deposition, has been investigated. The features of conductivity are revealed depending on the transverse magnetic field (0–9 T) and temperature (3–300 K). In a magnetic field, ultrathin Sb2Te3 nanoplates with a thickness of about 11 nm demonstrate a giant anomaly of weak antilocalization, accompanied by the effect of weak localization. A continuous decrease in electrical resistance with decreasing temperature and its sharp drop at a temperature of 4 K is a sign of a superconducting transition. Ultrathin samples exhibit a magnetic-field tunable superconductor-insulator transition.
oai:arar.sci.am:289078
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
May 5, 2025
Nov 23, 2021
47
https://arar.sci.am/publication/314632
Edition name | Date |
---|---|
Кузанян, А. А., Слабая локализация и слабая антилокализация в ультратонких нанопластинах Sb2Te3 | May 5, 2025 |
Кузанян, А. С. Маргиани, Н. Г. Мумладзе, Г. А. Кварцхава, И. Г. Бадалян, Г. Р. Жгамадзе, В. В. Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Агинян, М. А. Апраамян, А. П. Арутюнян, С. Г. Арутюнян, Г. С. Лазарева, Э. Г. Лазарев, Л. М. Маргарян, А. В. Шагинян, Л. А. Даллакян, Р. К. Манукян, А. А. Элбакян, В. Х. Оганесян, Г. А. Элбакян, Г. Е. Chung, М. Kwak, D. Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Агамалян, Н. Р. Папикян, А. К. Овсепян, Р. К. Петросян, С. И. Бадалян, Г. Р. Гамбарян, И. А. Кафадарян, Е. А. Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)