Օբյեկտ

Վերնագիր: Использование пленок диоксида кремния в качестве антиотражающего покрытия термоэлектрического однофотонного детектора

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2020

Հատոր:

55

Համար:

4

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Լրացուցիչ տեղեկություն:

Kuzanyan A. A., Petrosyan S. I., Kuzanyan A. S., Badalyan G. R.

Այլ վերնագիր:

The Use of Silicon Dioxide Films as an Antireflection Coating for a Thermoelectric Single-Photon Detector

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

566–574

Ամփոփում:

Антиотражающие слои являются важной частью чувствительных элементов высокоэффективных однофотонных детекторов. Методом электроннолучевого напыления на подложках Al2O3, AlN, Si и покрытиях CeB6, LaB6 и W нами получены аморфные пленки диоксида кремния. Исследованы элементный состав, микроструктура и шероховатость поверхности, оптические характеристики образцов, полученных при различных условиях напыления. Показано, что двухслойные покрытия SiO2/Al2O3 и SiO2/AlN могут обеспечить высокую эффективность детектирования при регистрации излучения в ближней ИК области, которое используется в телекоммуникационных системах и устройствах квантовой обработки информации. The anti-reflection layers are an important parts of high-performance single-photon detectors’ sensitive elements. Amorphous silicon dioxide films are obtained by electron beam deposition method on Al2O3, AlN, Si substrates and CeB6, LaB6, W coatings. The elemental composition, microstructure and roughness of the surface as well as the optical characteristics of samples obtained under various deposition conditions are investigated. It is shown that SiO2/Al2O3 and SiO2/AlN two-layer coatings can provide high detection efficiency for detecting near infrared region radiation, that is used in telecommunication systems and quantum information processing devices.

Հրատարակիչ:

Հայաստանի ԳԱԱ

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:264652

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

May 5, 2025

Մեր գրադարանում է սկսած:

Dec 23, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

58

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/288195

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն