Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀԱՊՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and NPUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2020

Հատոր:

73

Համար:

2

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկություն:

Հարությունյան Ս. Ս., Կոստանյան Հակոբ Տ., Գրիգորյան Մ. Տ., Կոստանյան Հարություն Տ., Ոսկանյան Գ. Ա., Հայրապետյան Ա.Կ., Арутюнян С. С., Костанян Акоп Т., Григорян М. Т., Костанян Арутюн Т., Восканян Г. А., Айрапетян А. К.

Այլ վերնագիր:

Պ տիպի մետաղ- օքսիդ -կիսահաղորդիչ(մօկ) կառուցվածքով բարձր հուսալիությամբ լիցքի պոմպի սխեման ; Схема помпы зарядов на основе металл-оксид-полупроводников п типа с высокой надёжностью

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Ծածկույթ:

181-187

Ամփոփում:

The design of the charge pump circuit with two different PMOS and NMOS architectures has been done, so that the output will receive 1.5 times the voltage of the power supply. The surfaces, speed and reliability of the two circuits were evaluated. In the proposed PMOS structure, two key transistors have no reliability problem as opposed to the NMOS structure, which is due to the difference of the transistors’ bulk-source terminal voltages. The variation of the output signal of the proposed PMOS scheme is less than in the NMOS scheme but the area is 1,26 times larger. Կատարվել է երկու տարբեր ՊՄՕԿ և ՆՄՕԿ կառուցվածքներով, լիցքի պոմպով լարման կրկնապատկիչի սխեմաների նախագծում այնպես, որ ելքում ստացվի սնման լարումից 1,5 անգամ մեծ լարում։ Գնահատվել են երկու սխեմաների մակերեսները, արագագործությունը և հուսալիությունը։ Առաջարկվող ՊՄՕԿ կառուցվածքով նախագծված սխեմայում երկու առանցքային տրանզիստորներ չունեն հուսալիության խնդիր՝ ի տարբերություն ՆՄՕԿ կառուցվածքով տրանզիստորների, որը պայմանավորված է տրանզիստորների հարթակ-ակունք պոտենցիալների տարբերությամբ։ Առաջարկվող սխեմայի ելքային ազդանշանի վարիացիան ավելի քիչ է, քան ՆՄՕԿ կառուցվածքով սխեմայում, սակայն մակերեսը 1,26 անգամ մեծ է։ Спроектированы два разных умножителя напряжения с помпой зарядов на основе металл-оксид-полупроводников п типа (ПМОП) и металл-оксид-полупроводников н типа (НМОП) так, чтобы напряжение на выходе получилось в 1,5 раза больше питания. Дана оценка площади, быстродействия и надежности двух схем. В отличие от НМОП структуры, в предлагаемой ПМОП структуре указанные два транзистора не имеют проблему старения, что обусловлено напряжением между подложкой и истоком транзисторов. Вариация на выходе в предлагаемой схеме меньше, чем в схеме на основе НМОП структуры, но площадь больше в 1,26 раза.

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

«Պոլիտեխնիկ» տպ.

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:263488

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան