Object structure

Theory of electron-phonon field-induced tunnel scattering in polar semiconductors under uniform electric field is considered. It is assumed that a non-degenerate n-type semiconductor has a spherical and parabolic simple band structure. On the basis of the study is the phenomenon of semiconductor bands tilting by the perturbing potential of an electric field. In that case electron eigenfunctions are not-plane waves or Bloch functions. They are determined by the Airy functions. An expression for the probability of electron intra-valley field-induced tunnel transitions related to polar optical phonon emission and absorption is obtained and analyzed.

pdf

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Հրապարակման մանրամասներ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Հրապարակման ամսաթիւ:

Հատոր:

Համար:

ISSN:

Պաշտոնական URL:

Վերնագիր:

Ստեղծողը:

Համատեղ հեղինակները:

Խորագիր:

Ծածկոյթ:

Ամփոփում:

Ստեղծման ամսաթիւը:

Տեսակ:

Ձեւաչափ:

Բնօրինակին գտնուելու վայրը: