Investigation of Characteristics of Semiconductor Detectors of a-C/n-Si Heterostructure and p-n Junctions by Means of Registration of Charged Particles

K. S. Ohanyan

Investigation of Characteristics of Semiconductor Detectors of a-C/n-Si Heterostructure and p-n Junctions by Means of Registration of Charged Particles

Ներբեռնել

Վերնագիր: Investigation of Characteristics of Semiconductor Detectors of a-C/n-Si Heterostructure and p-n Junctions by Means of Registration of Charged Particles

Ամփոփում:

Today different types of particle registration as well as semiconductor detectors have obtained wide application in basic and applied investigations of high energy and nuclear physics. The provide accurate measurements of fluxes of particle energies and ionizing radiation.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2013-07-10

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:23356

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Armenian Journal of Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2013

Հատոր:

Համար:

ISSN:

1829-1171

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Խորագիր և բանալի բառեր:

Physics Instruments, apparatus, components common to several branches of physics Nuclear physics

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Digital Library > Հոդվածներ

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Jan 25, 2021

Մեր գրադարանում է սկսած:

Feb 27, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/26093

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Armenian Journal of Physics

Հրատարակության անուն	Ամսաթիվ
Investigation of Characteristics of Semiconductor Detectors of a-C/n-Si Heterostructure and p-n Junctions by Means of Registration of Charged Particles	Jan 25, 2021

Օբյեկտ

Վերնագիր: Investigation of Characteristics of Semiconductor Detectors of a-C/n-Si Heterostructure and p-n Junctions by Means of Registration of Charged Particles

Ստեղծողը:

Տեսակ:

Համատեղ հեղինակները:

Ծածկույթ: