Publication Details:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Title:
О механизме роста силы оптических переходов в квантовых точках Ge, внедренных в матрицу Si
Other title:
Creator:
А. Р. Мкртчян ; Ал. Г. Алексанян ; К. С. Арамян ; А. А. Алексанян
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Subject:
Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Quantum Physics
Uncontrolled Keywords:
Մկրտչյան Ա. Ռ. ; Ալեքսանյան Ալ. Գ. ; Արամյան Կ. Ս. ; Ալեքսանյան Ա. Ա. ; Mkrtchyan A. R. ; Alexanyan Al. G. ; Aramyan K. S. ; Alexanyan A. A.
Coverage:
Abstract:
Теоретически исследована гетероструктура Si/Ge, активная область которой состоит из квантовых точек (KT) Ge. Высокая плотность массива KT Ge не может служить доминантой в выборе адекватной модели, способной объяснить наблюдаемое в экспериментах увеличение интенсивности люминесценции. В основу такой модели заложены условия, способствующие повышению силы осциллятора экситона за счет «втягивания» электронных состояний в ядро KT Ge. Տեսականորեն հետազոտված է Si/Ge հետերոկառուցվածքը, որի ակտիվ տիրույթը բաղկացած է գերմանիումի քվքնտային կետերից (ՔԿ): Գերմանիումի ՔԿ-ի զանգվածի բարձր խտությունը չի կարող հիմք հանդիսանալ փորձերում դիտվող լյումինեսցենցիայի աճը բացատրելու համար: Մոդելի հիմքում դրված են էքսիտոնի օսցիլյատորի ուժի բարձրացմանը նպաստող պայմանները` գերմանիումի ՔԿ-ի մեջ էլեկտրոնային վիճակների «ներձգման» շնորհիվ: The Si/Ge heterostructure the active area of which is composed of Ge quantum dots (QD) is theoretically investigated. The high density of the Ge QD array can not be the dominant feature in the choice of an adequate model that can explain the experimentally observed increase in the intensity of luminescence. In the basis of this model were established conditions conducing to the improvement of the oscillator strength of the exciton due to ‘pull’ of the electronic states in the Ge QD core.