О возможности экспериментального определения параметров зонной структуры многодолинных полупроводников

Բազմահովիտ կիսահաղորդիչների գոտիական կառուցվածքի պարամետրերի փորձնական որոշման հնարավորության մասին; Possibility of experimental determination of band structure parameters in many-valley semiconductors

А. И. Ваганян ; Е. М. Багиян

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics

Վահանյան Ա. Ը. ; Բաղիյան Ե. Մ. ; Vahanyan A. I. ; Baghiyan Y. M.

263-266

Показана принципиальная возможность определения некоторых параметров зонной структуры многодолинных полупроводников на основе экспериментальных кривых температурной зависимости общей концентрации носителей заряда. Ցույց է տրված բազմահովիտ կիսահաղորդիչների գոտիական կառուցվածքի որոշ պարամետրերի որոշման սկզբունքային հնարավորությունը՝ ընդհանուր կոնցենտրացիայի ջերմաստիճանային կախման փորձարարական կորերի հիման վրա: A possibility to determine some parameters of the band structure in many-valley semiconductors based on experimental curve of overall concentration of charge carriers versus temperature is shown.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան