Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2012

Հատոր:

47

Համար:

3

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:

Այլ վերնագիր:

Մոնոբյուրեղային p-տիպի սիլիցիումի վրա ստացված ծակոտկեն սիլիցիումի թաղանթների բնութագրերի վերլուծություն; Analysis of characteristics of porous silicon films obtained on the p-type single-crystal silicon

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

201-206

Ամփոփում:

Методом электрохимического анодирования на кремниевых подложках p-типа получены пленки пористого кремния и проанализированы зависимости пористости и толщины пленки от содержания в растворе HF, плотности протекающего тока и времени анодирования. Էլեկտրաքիմիական անոդավորման մեթոդով p-տիպի սիլիցիումային տակդիրի վրա ստացված են ծակոտկեն սիլիցիումի թաղանթներ և ուսումնասիրված են ծակոտկենության և թաղանթի հաստության կախվածությունը լուծույթում HF-ի պարունակությունից, անոդավորման հոսանքի խտությունից և անոդավորման ժամանակից:Porous silicon films on p-type silicon substrate with different porosity and thickness have been obtained by electrochemical anodization method. Dependences of porosity and thickness of the films on the content of HF in solution, anodization current density and anodization time were analyzed.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2012-05-09

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:134402

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան