Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2012

Volume:

47

Number:

3

ISSN:

0002-3035

Official URL:

Other title:

Մոնոբյուրեղային p-տիպի սիլիցիումի վրա ստացված ծակոտկեն սիլիցիումի թաղանթների բնութագրերի վերլուծություն; Analysis of characteristics of porous silicon films obtained on the p-type single-crystal silicon

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

201-206

Abstract:

Методом электрохимического анодирования на кремниевых подложках p-типа получены пленки пористого кремния и проанализированы зависимости пористости и толщины пленки от содержания в растворе HF, плотности протекающего тока и времени анодирования. Էլեկտրաքիմիական անոդավորման մեթոդով p-տիպի սիլիցիումային տակդիրի վրա ստացված են ծակոտկեն սիլիցիումի թաղանթներ և ուսումնասիրված են ծակոտկենության և թաղանթի հաստության կախվածությունը լուծույթում HF-ի պարունակությունից, անոդավորման հոսանքի խտությունից և անոդավորման ժամանակից:Porous silicon films on p-type silicon substrate with different porosity and thickness have been obtained by electrochemical anodization method. Dependences of porosity and thickness of the films on the content of HF in solution, anodization current density and anodization time were analyzed.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2012-05-09

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:134402

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան