Ցույց տուր կառուցվածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2008

Հատոր:

43

Համար:

5

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Оптическое поглощение в полупроводниковом наноцилиндрическом слое

Այլ վերնագիր:

Օպտիկական կլանումը կիսահաղորդչային նանոգլանային շերտում; Optical absorption in a semiconductor cylindrical nanolayer

Ստեղծողը:

В. А. Арутюнян ; С. Л. Арутюнян ; Г. О. Демирчян ; Н. Г. Гаспарян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Radiophysics

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Հարությունյան Վ. Ա. ; Հարությունյան Ս. Լ. ; Դեմիրճյան Գ. Հ. ; Գասպարյան Ն. Հ. ; Harutyunyan V. A. ; Harutyunyan S. L. ; Demirjan G. H. ; Gasparyan N. H.

Ծածկույթ:

336-347

Ամփոփում:

В приближении изотропной эффективной массы рассмотрены одноэлектронные состояния в полупроводниковом наноцилиндрическом слое в режиме “сильного” квантования. Ուժեղ քվանտացման պայմաններում, լիցքակիրների իզոտրոպ արդյունարար զանգվածի մոտավորությամբ դիտարկված են լիցքակիրների վիճակները կիսահաղորդչային գլանային շերտում: In the isotropic effective-mass approximation we consider the single-particle states in a semiconductor cylindrical nanolayer when the “strong quantization regime” takes place in the layer.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2008-09-16

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան