Խորացված որոնում ?

Օբյեկտ

Переключение S-диодов из кремния, компенсированного цинком, под действием малого гармонического сигнала в зависимости от температуры и облучения быстрыми электронами

Ներբեռնել

Վերնագիր: Переключение S-диодов из кремния, компенсированного цинком, под действием малого гармонического сигнала в зависимости от температуры и облучения быстрыми электронами

Ստեղծողը:

Г. М. Авакьянц ; С. А. Тарумян

Տեսակ:

Հոդված

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

1978

Հատոր:

13

Համար:

№ 4

ISSN:

0002-3035

Այլ վերնագիր:

Ցինկով կոմպենսացված սիլիցիումային S-դիոդների փոխանջատումը փոքր հարմոնիկ ազդանշանի ազդեցության տակ կախված ջերմաստիճանից և արագ էլեկտրոններով ռմբարկումից; The switching of zinc doped silicon S diodes under the effect of small harmonic signal as a function of temperature and fast electron irradiation

Ծածկույթ:

291-297

Հրատարակիչ:

ՀՍՍՀ ԳԱ

Ստեղծման ամսաթիվը:

1978-07-22

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:132065

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Խորագիր և բանալի բառեր:

Physics Science Radiophysics Ավագյանց Գ. Մ. Թառումյան Ս. Ա. Avakyanz G. M. Tarumyan S. A.

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Aug 1, 2022

Մեր գրադարանում է սկսած:

Apr 21, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

3

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/145141

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակության անուն Ամսաթիվ
Переключение S-диодов из кремния, компенсированного цинком, под действием малого гармонического сигнала в зависимости от температуры и облучения быстрыми электронами Aug 1, 2022

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Избирательные и генерационные свойства S- диодов из кремния, компенсированного цинком

Г. М. Авакьянц З. А. Адамян Р. С. Барсегян С. А. Тарумян С. В. Оганесян

Հոդված

Исследование шумовых свойств и некоторых особенностей температурных зависимостей вольт-амперных характеристик диодов, изготовленных из кремния легированного кадмием (Zn 10⁻²%)

Г. М. Авакьянц З. Н. Адамян Р. С. Барсегян С. А. Тарумян

Հոդված

Действие электронов низких энергий на полупроводниковые диоды

Г. М. Авакьянц С. А. Тарумян

Հոդված

Определение параметров примесных центров по кривым равновесной проводимости полупроводника

Г. М. Авакьянц С. А. Тарумян

Հոդված

К теории вольт-амперной характеристики длинных диодов

Г. М. Авакьянц С. А. Тарумян

Հոդված

О действии электронов с энергией до 100 кэв на полупроводниковые структуры

Г. М. Авакьянц С. А. Тарумян

Հոդված

Преобразование солнечной энергии в электрическую с исползованием голографических концентратов

Г. М. Авакьянц С. А. Тарумян

Հոդված

Вольт-амперная характеристика длинных двухбазовых диодов

Г. М. Авакьянц Г. Хашимов

Հոդված
Ավելին

Կապի մանրամասներ

Հասցե

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Մարշալ Բաղրամյան 24/6
Երևան 0019

Հեռախոս

(+374) 10 524750

Էլ․ փոստ

info@flib.sci.am

Այցելեք մեզ։

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն