Խորացված որոնում ?

Օբյեկտ

О влиянии электронно-дырочного рассеяния на вольт-амперную характеристику полупроводниковых приборов

Ներբեռնել

Վերնագիր: О влиянии электронно-дырочного рассеяния на вольт-амперную характеристику полупроводниковых приборов

Ստեղծողը:

Г. М. Авакьянц ; Е. В. Лазарев

Տեսակ:

Հոդված

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

1969

Հատոր:

4

Համար:

2

Պաշտոնական URL:


Այլ վերնագիր:

Կիսահաղորդչային սարքերի վոլտ-ամպերային բնութագրի վրա էլեկտրոն-խոռոչային ցրման ազդեցության մասին; On the influence of the electron-hole scattering upon volt-amper characteristics of semiconductor devices

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Ծածկույթ:

83-90

Հրատարակիչ:

ՀՍՍՀ ԳԱ հրատ․

Ստեղծման ամսաթիվը:

1969-04-13

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:131249

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Խորագիր և բանալի բառեր:

Physics Science Physics of Semiconductors Ավագյանց Գ. Մ. Լազարև Ե. Վ. Avakjants G. M. Lazarev E. V.

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

May 5, 2025

Մեր գրադարանում է սկսած:

Apr 21, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

23

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/144249

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակության անուն Ամսաթիվ
О влиянии электронно-дырочного рассеяния на вольт-амперную характеристику полупроводниковых приборов May 5, 2025

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Вольт-амперная характеристика p-n-p-диода с лавинным умножением

Г. М. Авакьянц Е. В. Лазарев Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

К вопросу о лавинной инжекции в компенсированных полупроводниках

Г. М. Авакьянц В. М. Арутюнян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Отрицательное сопротивление в nγn и pπp структурах

Г. М. Авакьянц В. М. Арутюнян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

К вопросу о двойной и лавинной инжекции в полупроводниках

Г. М. Авакьянц В. М. Арутюнян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Прохождение тока через полупроводники с примесями или дефектами, создающими глубокие уровни

Г. М. Авакьянц Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Генерация электрических колебаний в полупроводниках при прохождении постоянного тока

Г. М. Авакьянц Ш. Каниязов Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

Влияние электронов средних энергий на свойства кремниевых p-n-структур

Ю. А. Абрамян Г. М. Авакьянц А. А. Аракелян Р. Г. Симонян С. А. Тарумян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված

К теории двойной инжекции в компенсированных полупроводниках, содержащих глубокие акцепторные центры и электронные уровни прилипания

Г. М. Авакьянц В. М. Арутюнян Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Հոդված
Ավելին

Կապի մանրամասներ

Հասցե

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան
Մարշալ Բաղրամյան 24/6
Երևան 0019

Հեռախոս

(+374) 10 524750

Էլ․ փոստ

info@flib.sci.am

Այցելեք մեզ։

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն