Հրապարակման մանրամասներ:
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
Հրապարակման ամսաթիւ:
Հատոր:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Լրացուցիչ տեղեկութիւն:
Վերնագիր:
Որոշ ՄԿՄ կառույցներում հոսանքի կիսախորանարդային տեղամասի հնարավորության մասին
Այլ վերնագիր:
О возможности полукубического участка в токе некоторых МПМ структур ; On The Possibility Of A Semicubic Section In The Current Of Some Msm Structures
Ստեղծողը:
Համատեղ հեղինակները:
Աջակից(ներ):
Գլխավոր խմբ.՝ Վալերի Ավանեսյան
Խորագիր:
Չվերահսկուող բանալի բառեր:
մետաղ ; թույլ հաղորդականությամբ կիսահաղորդիչ ; միաբևեռ ինժեկցիա ; տարածական լիցք ; գերգծային հոսանք ; հաղորդականության գոտի
Ծածկոյթ:
Ամփոփում:
Աշխատանքում ցուցադրված է փորձառական արդյունք, և նրա ստացումը ենթադրաբար կապվում է բարձրաօհմ նմուշում հարստացված մերձկոնտակտային շերտի գոյացման հետ:
В работе показан экспериментальный результат, получение которого предположительно связывается с образованием приконтактного обогощенного слоя, возможного в высокоомном образце.
The paper shows an experimental result, the receipt of which is presumably associated with the formation of a near-contact enriched layer, which is possible in a high-resistance sample. There is a commonality between the metal-semiconductor-metal (MSM) structure and the vacuum diode, especially in terms of the starting conditions for the generation of electric current, when no inter-electrode voltages have yet been applied.
Հրատարակութեան վայրը:
Ստեփանակերտ
Տեսակ:
Ձեւաչափ:
Թուայնացում:
ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան