Object structure

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Date of publication:

2012

Volume:

65

Number:

2

ISSN:

0002-306X

Official URL:


Title:

Моделирование характеристик усилителя считывания для ферроэлектрической памяти

Other title:

Ֆերոէլեկտրական հիշողության համար ընթերցման ուժեղարարի բնութագրերի մոդելավորում / Լ. Մ. Տրավաջյան։ Modeling of sense amplifier characteristics for ferroelectric memory / L. M. Travajyan.

Creator:

Л. М. Траваджян

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Subject:

Technology

Uncontrolled Keywords:

ячейка ; память ; моделирование ; битовая линия ; усилитель

Coverage:

199-204

Abstract:

Проведено исследование и моделирование частотных и временных характеристик схемы усилителя считывания ферроэлектрической ячейки памяти для архитектуры 1T1C программным пакетом HSPICE. Показано, что коэффициент усиления и фазовый сдвиг усилителя остаются практически неизменными в диапазоне рабочих частот современных FeRAM. При этом чувствительность усилителя по напряжению достигает до 50 мВ. Ուսումնասիրվել և 1T1C ճարտարապետության համար մոդելավորվել են ֆերոէլեկտրական հիշողության բջջի ընթերցման ուժեղարարի սխեմայի հաճախային և ժամանակային բնութագրերը` HSPICE ծրագրային փաթեթի միջոցով: Ցույց է տրված, որ ուժեղարարի ուժեղացման գործակիցը և փուլային շեղումը գործնականում մնում են անփոփոխ ժամանակակից FeRAM-ների աշխատանքային հաճախությունների միջակայքում, իսկ ըստ լարման ուժեղարարի` զգայնությունը հասնում է մինչև 50 մՎ: The frequency and time characteristics of sense amplifier scheme of ferroelectric memory cell for 1T1C architecture are investigated and modelled for the first time using the software HSPICE. It is shown that gain factor and phase shift of amplifier actually remain constant in the operating frequency range of FeRAM and the voltage sensitivity being 50 mV.

Place of publishing:

Երևան

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2012-06-06

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 413

Digitization:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան