Publication Details:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Additional Information:
Title:
Other title:
Սև սիլիցիումի շերտով սիլիցիում-պերովսկիտ կառուցվածքների օպտիկական և կառուցվածքային հատկությունների ուսումնասիրում ; Investigation of the Structural and Optical Properties of Silicon-Perovskite Structures with a Black Silicon Layer
Creator:
Айвазян, Г. Е. ; Коваленко, Д. Л. ; Лебедев, М. С. ; Матевосян, Л. А. ; Семченко. А. В.
Corporate Creators:
Национальный политехнический университет Армении, Ереван, Армения ; Гомельский государственный университет, Гомель, Беларусь ; Институт радиофизики и электроники НАН Армении, Аштарак, Армения ; Институт неорганической химии СО РАН, Новосибирск, Россия
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Subject:
Coverage:
Abstract:
Проанализирована технологическая возможность применения черного кремния (b-Si) в тандемных кремниево-перовскитных солнечных элементах в качестве антиотражающей поверхности. Исследованы структурные и оптические свойства кремниево-перовскитных структур, состоящие из кремниевой подложки с поверхностью из b-Si, электронного транспортного слоя диоксида титана и фотоактивного слоя металлоорганического галогенидного перовскита. Показано, что эти слои без пор и пустот, с высокой степени конформности покрывают поверхность b-Si. Изготовленные образцы характеризуются низким коэффициентом отражения в широком диапазоне длин волн излучения.
Վերլուծվել է սև սիլիցիումի (b-Si) որպես հակաանդրադարձնող մակերևույթ կիրառման տեխնոլոգիական հնարավորությունը տանդեմային սիլիցիում-պերովսկիտ արևային էլեմենտներում: Ուսումնասիրվել են b-Si-ի մակերևույթով սիլիցիումային հարթակից, էլեկտրոնների տեղափոխման տիտանի երկօքսիդի և ֆոտոակտիվ օրգանամետաղային հալոգենային պերովսկիտի շերտերից կազմված սիլիցիում- պերովսկիտ կառուցվածքների օպտիկական և կառուցվածքային հատկությունները: Ցույց է տրվել, որ այս շերտերն առանց ծակոտիների և դատարկությունների, բարձր աստիճանի համաձևությամբ ծածկում են b-Si մակերևույթը: Պատրաստված նմուշները բնութագրվում են ճառագայթման ալիքի երկարությունների լայն տիրույթում անդրադարձման ցածր գործակցով:
The technological possibility of using black silicon (b-Si) in tandem silicon-perovskite solar cells as an antireflection surface is analyzed. The structural and optical properties of silicon-perovskite structures consist of a silicon substrate with a b-Si surface, an electron transport layer of titanium dioxide, and a photoactive layer of an organometallic halide perovskite are studied. It is shown that these layers without pores and voids cover the surface of b-Si with high conformity. The fabricated samples are characterized by a low reflection coefficient in a wide range of radiation wavelengths.