Узкозонные фотодетекторы среднего инфракрасного диапазона на основе квантовых точек InAsSbP

InAsSbP քվանտային կետերով նեղ գոտիական կառուցվածք ունեցող միջին ենթակարմիր տիրույթի ֆոտոընդունիչներ; Narrow bandgap mid-infrared photodetectors based on InAsSbP quantum dots

В. Г. Арутюнян ; К. М. Гамбарян ; В. М. Арутюнян

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Physics ; Science ; Quantum Physics

Հարությունյան Վ. Գ. ; Ղամբարյան Կ. Մ. ; Հարությունյան Վ. Մ. ; Harutyunyan V. G. ; Gambaryan K. M. ; Aroutiounian V. M.

60-67

Представлены результаты исследований фотодетекторов среднего инфракрасного диапазона на основе квантовых точек (КТ) InAsSbP, выращенных на подложках InAs(100) методом модифицированной жидкофазной эпитаксии. Ներկայացված են ձևափոխված հեղուկային էպիտաքսիայի եղանակով InAs(100) տակդիրի վրա աճեցված InAsSbP քվանտային կետերի (ՔԿ) հիման վրա պատրաստված միջին ենթակարմիր տիրույթի ֆոտոընդունիչների ուսումնասիրությունների արդյունքները:The results of investigations of mid-infrared photodetectors based on InAsSbP quantum dots (QDs) grown on InAs(100) substrate by modified liquid phase epitaxy are presented. The atomic force microscope measurements have shown that the surface density of grown QDs is (4–8) ×109 cm−2.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան