Publication Details:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Title:
Узкозонные фотодетекторы среднего инфракрасного диапазона на основе квантовых точек InAsSbP
Other title:
Creator:
В. Г. Арутюнян ; К. М. Гамбарян ; В. М. Арутюнян
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Subject:
Physics ; Science ; Quantum Physics
Uncontrolled Keywords:
Հարությունյան Վ. Գ. ; Ղամբարյան Կ. Մ. ; Հարությունյան Վ. Մ. ; Harutyunyan V. G. ; Gambaryan K. M. ; Aroutiounian V. M.
Coverage:
Abstract:
Представлены результаты исследований фотодетекторов среднего инфракрасного диапазона на основе квантовых точек (КТ) InAsSbP, выращенных на подложках InAs(100) методом модифицированной жидкофазной эпитаксии. Ներկայացված են ձևափոխված հեղուկային էպիտաքսիայի եղանակով InAs(100) տակդիրի վրա աճեցված InAsSbP քվանտային կետերի (ՔԿ) հիման վրա պատրաստված միջին ենթակարմիր տիրույթի ֆոտոընդունիչների ուսումնասիրությունների արդյունքները:The results of investigations of mid-infrared photodetectors based on InAsSbP quantum dots (QDs) grown on InAs(100) substrate by modified liquid phase epitaxy are presented. The atomic force microscope measurements have shown that the surface density of grown QDs is (4–8) ×109 cm−2.