Формирование экситонов в полупроводниковых наноструктурах при наличии электронно-дырочной плазмы

Էքսիտոնների ձևավորումը կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքներում՝ էլեկտրոն-խոռոչային պլազմայի առկայության դեպքում; Еxciton formation stimulated by optically pumped electron – hole plasma in semiconductor nanostructures

В. A. Теккозян ; К. Ли ; А. Ж. Бабаджанян ; Х. В. Неркарарян

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Physics ; Science ; Plasma Physics ; Physics of Semiconductors

Թեքկոզյան Վ. Ա. ; Լի Ք. ; Բաբաջանյան Ա. Ժ. ; Ներկարարյան Խ. Վ. ; Tekkozyan V. A. ; Lee K. ; Babajanyan A. Zh. ; Nerkararyan Kh. V.

196-201

Предложен механизм увеличения энергии связи экситона в широкозонных полупроводниках при наличии оптически накачанной электронно-дырочной плазмы. Эти экситоны с относительно большой энергией связи ( > 150 мэВ) могут существовать при комнатной температуре, когда диэлектрическая проницаемость полупроводника в инфракрасной области спектра приближается к нулю. Առաջարկված է լայն արգելված գոտիով կիսահաղորդիչներում էքսիտոնների կապի էներգիայի մեծացման մեխանիզմ, օպտիկապես մղված էլեկտրոն-խոռոչային պլազմայի առկայության պայմաններում: Համեմատաբար մեծ կապի էներգիայով ( > 150 մէՎ) այդ էքսիտոնները կարող են գոյատևել սենյակային ջերմաստիճանում, երբ կիսահաղորդչի դիէլեկտրական թափանցելիության արժեքը սպեկտրի ինֆրակարմիր տիրույթում մոտ է 0- ին: A mechanism to increase the exciton binding energy in wide band-gap semiconductors due to the presence of optically pumped electron-hole plasma is proposed. These exciton states with high binding energy ( > 150 meV) can exist at room temperature when the dielectric permittivity of a semiconductor approaches zero in the infrared region.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան