Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2014

Volume:

49

Number:

3

ISSN:

0002-3035

Official URL:

Other title:

Էքսիտոնների ձևավորումը կիսահաղորդչային նանոկառուցվածքներում՝ էլեկտրոն-խոռոչային պլազմայի առկայության դեպքում; Еxciton formation stimulated by optically pumped electron – hole plasma in semiconductor nanostructures

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Coverage:

196-201

Abstract:

Предложен механизм увеличения энергии связи экситона в широкозонных полупроводниках при наличии оптически накачанной электронно-дырочной плазмы. Эти экситоны с относительно большой энергией связи ( > 150 мэВ) могут существовать при комнатной температуре, когда диэлектрическая проницаемость полупроводника в инфракрасной области спектра приближается к нулю. Առաջարկված է լայն արգելված գոտիով կիսահաղորդիչներում էքսիտոնների կապի էներգիայի մեծացման մեխանիզմ, օպտիկապես մղված էլեկտրոն-խոռոչային պլազմայի առկայության պայմաններում: Համեմատաբար մեծ կապի էներգիայով ( > 150 մէՎ) այդ էքսիտոնները կարող են գոյատևել սենյակային ջերմաստիճանում, երբ կիսահաղորդչի դիէլեկտրական թափանցելիության արժեքը սպեկտրի ինֆրակարմիր տիրույթում մոտ է 0- ին: A mechanism to increase the exciton binding energy in wide band-gap semiconductors due to the presence of optically pumped electron-hole plasma is proposed. These exciton states with high binding energy ( > 150 meV) can exist at room temperature when the dielectric permittivity of a semiconductor approaches zero in the infrared region.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2014-06-02

Format:

pdf

Identifier:

oai:arar.sci.am:134543

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան