Հրապարակման մանրամասներ:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Հրապարակման ամսաթիվ:
Հատոր:
Համար:
ISSN:
Պաշտոնական URL:
Վերնագիր:
Այլ վերնագիր:
Growth features at competing nucleation of quantum dots and nanopits in Si-Ge-C ternary system
Ստեղծողը:
К. М. Гамбарян ; В. М. Арутюнян ; А. К. Симонян ; Л. Г. Мовсесян
Աջակից(ներ):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Խորագիր:
Physics ; Science ; Radiophysics
Չվերահսկվող բանալի բառեր:
Gambaryan K. M. ; Aroutiounian V. M. ; Simonyan A. K. ; Movsesyan L. G.
Ծածկույթ:
Ամփոփում:
Для количественного изучениая особенностей выращивания и механизма зародышеобразования квантовых точек (КТ), нанопор и совместных структур КТ– нанопор в трехкомпонентной системе Si-Ge-C использована континумиальная модель эластичности.The continuum elasticity model is applied to quantitatively investigate the growth features and nucleation mechanism of quantum dots (QDs), nanopits and QDs-nanopits cooperative structures in SiGeC ternary material system.