Фотодетекторы среднего инфракрасного диапазона на основе четырехкомпонентных InAsSbP наноструктур

InAsSbP քառաբաղադրիչ նանոկառուցվածքների հիման վրա միջին ինֆրակարմիր տիրույթի ֆոտոընդունիչներ; Mid-infrared photodetectors based on quaternary InAsSbP nanostructures

В. М. Арутюнян ; К. М. Гамбарян ; В. Г. Арутюнян ; И. Г. Арутюнян ; М. С. Казарян

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Physics ; Science ; Radiophysics

Հարությունյան Վ. Մ. ; Ղամբարյան Կ. Մ. ; Հարությունյան Վ. Գ. ; Հարությունյան Ի. Գ. ; Ղազարյան Մ. Ս. ; Aroutiounian V. M. ; Gambaryan K. M. ; Harutyunyan V. G. ; Harutyunyan I. G. ; Kazaryan M. S.

193-200

Методом модифицированной жидкофазной эпитаксии на подложке InAs (100) были выращены четырехкомпонентные InAsSbP квантовые точки (КТ) с поверхностной концентрацией (3–5)×109 см−2. Морфология и распределение плотности КТ исследовались с помощью атомно-силового микроскопа. Հեղուկային էպիտաքսիայի կատարելագործված եղանակով InAs(100) տակդիրի վրա աճեցված են InAsSbP քառաբաղադրիչ քվանտային կետեր (ՔԿ): Ատոմաուժային մանրադիտակով ուսումնասիրված են ՔԿ-երի մորֆոլոգիան և խտություն բաշխումը: Quaternary InAsSbP quantum dots (QDs) have been grown on InAs (100) substrate by a modified version of liquid-phase epitaxy. The morphology and distribution density of QDs were investigated by an atomic force microscope.

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան