Object structure

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Date of publication:

2012

Volume:

47

Number:

1

ISSN:

0002-3035

Official URL:


Title:

Структурные искажения полупроводниковых кристаллов кремния, вызванные действием постоянного электрического поля

Other title:

Հաստատուն էլեկտրական դաշտի ազդեցությամբ կիսահաղորդչային սիլիցիումի բյուրեղներում առաջացած կառուցվածքային աղավաղումները; Structural distortions of semiconducting silicon crystals caused by a permanent electric field

Creator:

А. О. Абоян

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Subject:

Physics ; Science ; Electricity and magnetism ; Physics of Semiconductors

Uncontrolled Keywords:

Աբոյան Ա. Հ. ; Aboyan A. H.

Coverage:

56-63

Abstract:

Рентгеноинтерферометрическим методом в неполярных кристаллах, в частности, в полупроводниковых кристаллах кремния, обнаружены структурные искажения, вызванные действием постоянного электрического поля. Показано, что поле изменяет частоту (период) и направления муаровых полос, а при разностях потенциалов больше 1.5 кВ муаровые картины исчезают. Муаровая картина, полученная под действием электростатического поля, не зависит от направления (полярности) поля: при обеих полярностях получаются совершенно одинаковые картины. Ռենտգենաինտեֆերաչափական մեթոդով ոչ բևեռային, մասնավորապես, կիսահաղորդչային սիլիցիումի բյուրեղներում դիտված են հաստատուն էլեկտրական դաշտի ազդեցությամբ հարուցված կառուցվածքային աղավաղումներ: Ցույց է տրված, որ դաշտը փոփոխում է մուարի շերտերի հաճախությունը (պարբերությունը) և ուղղությունը, իսկ 1.5 կՎ պոտենցիալների տարբերության դեպքում մուարի պատկերները վերանում են: Մուարի պատկերը, որն ստացվում է էլեկտրական դաշտի ազդեցությամբ, կախված չէ դաշտի ուղղությունից (բևեռականությունից), երկու բևեռականությունների դեպքում էլ ստացվում են միանգամայն միատեսակ պատկերներ: Structural distortions in nonpolar, particularly, in semiconducting silicon crystals, caused by a permanent electric field, have been revealed by means of X-ray interferometry. It was shown that both the direction of moiré fringes and the frequency (period) are changed in the field, and that the moiré patterns disappear at values of potential difference in excess of 1.5 kV. The moiré pattern obtained under the action of electrostatic field is independent of the direction (polarity) of the field, the patterns for both polarities being completely identical.

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2012-01-09

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 415

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան