Object structure

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2012

Հատոր:

47

Համար:

1

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

О термоэдс многодолинного полупроводника

Այլ վերնագիր:

Բազմահովիտ կիսահաղորդչի թերմոէլշուն; On the thermal emf of a multivalley semiconductor

Ստեղծողը:

А. И. Ваганян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Վահանյան Ա. Ի. ; Vahanyan A. I.

Ծածկույթ:

52-55

Ամփոփում:

Получено выражение коэффициента термоэдс для невырожденного многодолинного полупроводника. Показано, что выражение для коэффициента термоэдс можно представить параметрами одной конкретной зоны. Рассмотрен с практической точки зрения важный случай двухдолинного полупроводника.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2012-01-09

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան