Ցույց տուր կառուցվածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2010

Հատոր:

45

Համար:

5

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Исследование фототока, индуцированного лазерным лучом, в планарных двумерных n-p-n структурах

Այլ վերնագիր:

Պլանար երկչափ n-p-n կառուցվածքներում լազերային փնջով ինդուկտված ֆոտոհոսանքի ուսումնասիրությունը; Investigation of laser beam-induced photocurrent in planar twodimensional n-p-n structures

Ստեղծողը:

С. Т. Мурадян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Chemical Physics

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

Մուրադյան Ս. Տ. ; Muradyan S. T .

Ծածկույթ:

344-349

Ամփոփում:

Измерена величина индуцированного в двумерных n-p-n структурах фототока в зависимости от положения падающего на их поверхности фокусированного лазерного луча. Исследуемые образцы были получены из p-легированной GaAs/In0.11Ga0.89As/Al0.33Ga0.67As гетероструктуры путём локального перекомпенсационного легирования кремнием. Dependence of the magnitude of induced photocurrent on the position of the focused laser beam inclined on the surface was measured in two-dimensional n-p-n structures. Investigated samples were fabricated from p-doped GaAs/In0.11Ga0.89As/Al0.33Ga0.67As heterostructure by the local overcompensation doping with silicon.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2010-09-05

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան