Ցոյց տուր կառուցուածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիւ:

1996

Հատոր:

31

Համար:

4

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Электропоглощение в полупроводниковом цилиндрическом слое

Այլ վերնագիր:

Էլեկտրակլանումը կիսահաղորդիչային գլանային շերտում; Electroabsorption in a cylindrical semiconductor layer

Ստեղծողը:

В. А. Арутюнян ; С. Л. Арутюнян ; С. А. Мкртчян

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)

Խորագիր:

Physics ; Science ; Physics of Semiconductors ; Radiophysics

Չվերահսկուող բանալի բառեր:

Հարությունյան Վ. Ա. ; Հարությունյան Ս. Լ. ; Մկրտչյան Ս. Ա. ; Haroutunian V. A. ; Haroutunian S. L. ; Mkrtchian S. A.

Ծածկոյթ:

158-162

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիւը:

1996-04-29

Տեսակ:

Հոդված

Ձեւաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 415

Բնօրինակին գտնուելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան