Publication Details:
Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։
Journal or Publication Title:
ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics
Date of publication:
Volume:
Number:
ISSN:
Official URL:
Additional Information:
Ayvazyan G. Y., Katkov M. V., Lakhoyan L. M.
Title:
Other title:
Creator:
Айвазян, Г. Е. ; Катков, М. В. ; Лахоян, Л. М.
Contributor(s):
Պատ․ խմբ․՝ Գ․ Մ․ Ղարիբյան (1966-1992) ; Գլխ․ խմբ․՝ Վ․ Մ․ Հարությունյան (1993-2021) ; Կ․ Մ․ Ղամբարյան (2022-)
Subject:
Coverage:
Abstract:
Представлены результаты экспериментального исследования изготовленных монолитных тандемных солнечных элементов перовскит/кремний с нанотекстурированной прослойкой черного кремния. Показано, что интеграция слоя черного кремния с оптимальной толщиной 530 нм приводит к увеличению эффективности преобразования мощности от 26.2 до 27.8% по сравнению с планарной архитектурой. Основной вклад вносит увеличение плотности тока короткого замыкания благодаря подавлению отражения и улучшенному светопоглощению на границе субэлементов. Зафиксированное небольшое снижение напряжения холостого хода обусловлено увеличением рекомбинации носителей заряда на развитой поверхности черного кремния. Экспериментальные результаты качественно подтверждают выводы численного моделирования.
The results of an experimental study of fabricated monolithic perovskite/silicon tandem solar cells incorporating a nanostructured black silicon interlayer are presented. It is shown that integration of a black silicon layer with an optimal thickness of 530 nm leads to an increase in power conversion efficiency from 26.2 to 27.8% compared to a planar architecture. The main contribution arises from an enhancement of the short-circuit current density due to suppressed reflection and improved light absorption at the subcell interface. The observed slight reduction in open-circuit voltage is attributed to increased charge-carrier recombination at the enlarged surface of black silicon. The experimental results qualitatively confirm the conclusions of numerical simulations.