Обсуждены некоторые проблемы, связанные с флуктуациями подвижности электронов в полярных полупроводниках. Развита теория электронно-полярного оптического фононного туннельного рассеяния, индуцированного полем. На основе полученного соотношения для скорости рассеяния в случае слабых полей было показано, что при наличии электрического поля дисперсия подвижности электронов принимает конечные значения в отличие от отсутствия поля, когда последняя расходится. На примере GaAs рассчитана зависимость дисперсии подвижности электронов от напряженности электрического поля, которая определяется убывающей функцией по логарифмическому закону. Частотная зависимость спектральной плотности флуктуации подвижности в полярных полупроводниках имеет такой же качественный вид, как и в неполярных полупроводниках: в достаточно широком диапазоне частот она описывается законом 1/f, а при наличии электрического поля в области низких частот появляется область насыщения. Рассчитана температурная зависимость параметра шума подвижности электронов в GaAs, которая качественно и количественно достаточно хорошо согласуется с некоторыми экспериментальными данными температурной зависимости параметра Хуга низкочастотного токового шума в n-GaAs.
Some problems related to electron mobility fluctuations in polar semiconductors are discussed. Theory of electron-polar optical phonon field induced tunnel scattering has been developed. Based on the obtained relation for the scattering rate in the case of weak fields, it was shown that in the presence of an electric field, the electron mobility variance takes on finite values, in contrast to the absence of a field, when it diverges. Using GaAs as an example, dependence of the electron mobility variance on the electric field is calculated, which is given by the decreasing function according to the logarithmic law. The frequency dependence of the spectral density of mobility fluctuations in polar semiconductors has the same qualitative form as in non-polar semiconductors: in a fairly wide frequency range it is described by the 1/f law, and in the presence of an electric field in the low-frequency region a saturation region appears. The temperature dependence of the electron mobility noise parameter in GaAs is calculated, which qualitatively and quantitatively agrees quite well with some experimental data on the temperature dependence of the Hooge parameter of low-frequency current noise in n-GaAs.

АЖ 415

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Հրապարակման մանրամասներ:

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

Հրապարակման ամսաթիւ:

Հատոր:

Համար:

ISSN:

Պաշտոնական URL:

Լրացուցիչ տեղեկութիւն:

Վերնագիր:

Այլ վերնագիր:

Ստեղծողը:

Աջակից(ներ):

Խորագիր:

Ծածկոյթ:

Ամփոփում:

Տեսակ:

Ձեւաչափ:

Նոյնացուցիչ:

Դասիչ:

Բնօրինակին գտնուելու վայրը: