Object structure

Publication Details:

Հանդեսը լույս է տեսնում տարին երկու անգամ:

Journal or Publication Title:

Արցախի պետական համալսարանի գիտական տեղեկագիր. Հասարակական և բնական գիտություններ=Ученые записки Арцахского государственного университета: Социальные и естественные науки=Artsakh state university's Proceedings: Social and natural sciences

Date of publication:

2021

Volume:

1

ISSN:

1829-4375

Official URL:


Additional Information:

Мхитарян А. Х., Григорян А. Т., Григорян М. Т., Оганнисян В. Д., Аветисян А. А., Mkhitaryan A. Kh., Grigoryan H. T., Grigoryan M. T., Hovhannisyan V. D., Avestisyan A. A.

Title:

Անալոգային ինտեգրալ սխեմաներում ցածր լարման շեղմամբ համեմատիչի նախագծումը

Other title:

Конструкция компараторов с низким напряжением смешения в аналоговых интегрированных схемах ; Design Of Low-Offset Comparators For Analog Integrated Circuits

Creator:

Մխիթարյան, Արթուր ; Գրիգորյան, Հայկ ; Գրիգորյան, Մուշեղ ; Հովհաննիսյան, Վարդան ; Ավետիսյան, Աշոտ

Corporate Creators:

Արցախի պետական համալսարան

Contributor(s):

Գլխավոր խմբ.՝ Վալերի Ավանեսյան

Subject:

Մաթեմատիկա

Uncontrolled Keywords:

համեմատիչ ; լարման շեղում ; ԻՍ ; բացասական հետադարձ կապ

Coverage:

29-36

Abstract:

Ժամանակակից անալոգային ինտեգրալ սխեմաներում տրանզիստորների չափերը հասել են ընդհուպ մինչև 3նմ-ի։ Այդպիսի նանոչափական կառուցվածքներով նախագծման պայմաններում լրջագույն մարտահրավեր է դարձել պարամետրերի ճշգրիտ ապահովումը՝ կախված տարբեր գործոններից՝ սնման լարման և շրջապատող միջավայրի ջերմաստիճանի տատանումներից, կիսահաղորդչային տեխնոլոգիաների անկատարությունից։ Այս աշխատանքում իրականացված է անալոգային համեմատիչի նախագծում, որտեղ առաջարկվել է նոր սխեմա՝ հիմնված երկու ռեժիմներում աշխատող ուժեղարարի վրա։ Իրականացած պարամետրական օպտիմալացման հաշվին հաջողվել է բարելավել լարման շեղման արժեքը՝ 7մՎ-ից հասցնելով 1մՎ-ը չգերազանցող արժեքի՝ տեխնոլոգիական շեղումների 4,5 սիգմա տիրույթում։
В современных аналоговых интегральных схемах размер транзисторов достигает 3 нм. Точное задание параметров стало серьезной проблемой при проектировании таких наноразмерных структур, зависящих от различных факторов: напряжения питания, колебаний температуры окружающей среды, несовершенства полупроводниковых технологий. В работе был разработан аналоговый компаратор, в котором предложена новая схема на основе усилителя, работающего в двух режимах. За счет параметрической оптимизации значение отклонения напряжения было улучшено с 7 мВ до значения, не превышающего 1 мВ в диапазоне технологических отклонений 4,5 сигма.
In modern analog integrated circuits, the size of transistors reaches 3 nm. Accurate setting of parameters has become a serious problem in the design of such nanoscale structures, which depend on various factors: supply voltage, ambient temperature fluctuations, imperfections in semiconductor technologies. In this work, an analog comparator was developed, in which a new circuit based on an amplifier operating in two modes was proposed. Due to parametric optimization, the voltage deviation value was improved from 7 mV to a value not exceeding 1 mV in the 4.5 sigma process deviation range.

Place of publishing:

Ստեփանակերտ

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Digitization:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Location of original object:

Արցախի պետական համալսարան