Օբյեկտ

Վերնագիր: Efficient surface passivation of n-type black silicon

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2019

Հատոր:

vol. 72

Համար:

№ 1

ISSN:

0002-306X

Այլ վերնագիր:

N-տիպի սև սիլիցիումի մակերևույթի արդյունավետ պասսիվացումը; Эффективная пассивация поверхности черного кремния n-типа

Ծածկույթ:

78-84

Ամփոփում:

Surface recombination losses significantly reduce the efficiency of black silicon (b-Si)for solar cell applications. Surface passivation using suitable dielectric films can minimize these losses. This paper reports the investigation on the passivation properties of the hafnium dioxide (HfO2) film deposited on n-type b-Si surface via the atomic layer deposition method. Մակերևութային վերամիավորման կորուստները զգալիորեն փոքրացնում են սև սիլիցիումի (b-Si) արդյունավետությունը արևային էլեմենտներում կիրառելու համար: Այդ կորուստները կարելի է նվազեցնել՝ մակերևույթը պասսիվացնելով որոշակի մեկուսիչ թաղանթներով: Հետազոտվել են n-տիպի b-Si-ի մակերևույթին ատոմաշերտային նստեցման մեթոդով ստացված հաֆնիումի երկօքսիդի (HfO2) թաղանթի պասսիվացման հատկությունները: Потери, обусловленные поверхностной рекомбинацией, значительно снижают эффективность черного кремния (b-Si) для применения в солнечных элементах. Пассивация поверхности с использованием определенных диэлектрических пленок может минимизировать эти потери. Исследованы пассивирующие свойства пленки диоксида гафния (HfO2), нанесенной на поверхность b-Si n-типа методом атомно-слоевого осаждения.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ

Ստեղծման ամսաթիվը:

2019-03-03

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:33215

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Mar 9, 2021

Մեր գրադարանում է սկսած:

Mar 3, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

1

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/36977

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակության անուն Ամսաթիվ
Efficient surface passivation of n-type black silicon Mar 9, 2021

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն