Object structure

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀԱՊՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and NPUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2015

Հատոր:

68

Համար:

1

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

Ֆերոէլեկտրիկ-օքսիդ-կիսահաղորդիչ կառուցվածքի բնութագրերը ըստ հաճախության մոդուլացված լուսային ազդանշանի ռեժիմում

Այլ վերնագիր:

Характеристики ферроэлектрик-оксид-полупроводник структур при режиме частотной модуляции светового луча / Л. А. Сукоян, В. В. Буниатян, Т. В. Вадунц. The ferroelectric-oxide-semiconductor structure characteristics at the frequency modulation light signal mode / L. H. Sukoyan, V. V. Buniatyan, T. V. Vadunc.

Ստեղծողը:

Լ. Հ. Սուքոյան ; Վ. Վ. Բունիաթյան ; Տ. Վ. Վադունց

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Խորագիր:

Technology

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

ֆերոէլեկտրիկ ; մոդուլացված լույս ; կիսահաղորդիչ ; ՄՕԿ կառուցվածք:

Ծածկույթ:

36-43

Ամփոփում:

Տեսականորեն հետազոտվել են ունակային սկզբունքով աշխատող ֆերոէլեկտրիկ–օքսիդ-կիսահաղորդիչ կառուցվածքի ֆոտոզգայնության մեխանիզմներն ու ընթացող օպտիկա-ֆիզիկական երևույթներն ըստ ինտենսիվության / հաճախականության մոդուլացված լույսի ազդման դեպքում: Теоретически исследована фоточувствительность ферроэлектрик-оксид-полупроводник структур, работающих по емкостному принципу под воздействием модулированного по частоте/интенсивности светового луча. The photosensitivity of the ferroelectric-oxide-semiconductor structures operating by the capacitive principle under the influence of the frequency intensity of modulated light beam is theoretically investigated.

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2015-01-09

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան