Օբյեկտ

Վերնագիր: Микроструктура плёнок ZnO:Er изготовленных методом магнетронного распыления

Ստեղծողը:

Гременок, В. Ф.

Տեսակ:

Հոդված

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1966 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ Տեղեկագիր: Ֆիզիկա = Proceedings of the NAS RA: Physics

Հրապարակման ամսաթիվ:

2022

Հատոր:

57

Համար:

4

ISSN:

0002-3035

Պաշտոնական URL:


Լրացուցիչ տեղեկություն:

Gremenok V. F.

Այլ վերնագիր:

Microstructure of ZnO:Er Films Prepared by Magnetron Sputtering

Համատեղ հեղինակները:

Государственное научно-производственное объединение «Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению», Минск, Беларусь

Ծածկույթ:

528-535

Ամփոփում:

Тонкие плёнки ZnO, легированные Er (эрбием) (ZnO:Er) были выращены на кварцевых и p-Si подложках при температуре 25°С методом радиочастотного магнетронного напыления. Влияние термообработки при 600°С и 900°С на свойства плёнок было проанализировано с помощью сканирующей электронной мик- роскопии, атомно-силовой микроскопии и рентгеноструктурного анализа. Выявлено однородное распределение элементов для всех исследованных пленок на различных подложках. Обнаружено, что пленки ZnO:Er являются однородными, без точечных проколов, с хорошей адгезией к подложке, а размер кристаллических зерен зависит от типа подложки и условий получения. Все пленки показали преимущественную ориентацию (002) вдоль оси С, перпендикулярной поверхности подложки. Результаты, полученные из спектров рентгеновской дифракции, показывают, что ионы Er3+ успешно замещают ионы Zn2+ в решетке ZnO.
Er-doped ZnO (ZnO:Er) thin films were grown on quartz and p-Si substrates at 25оC by radio-frequency magnetron sputtering method. The effect of the heat treatment at 600°C and 900°C on the properties of the films was analyzed by scanning electron microscopy, energy dispersive X-ray spectroscopy, atomic force microscopy and X-ray diffraction analysis. A homogeneous elements distribution is revealed for all investigated films on different substrates. ZnO:Er films were found to be uniform, pinhole-free, well adherent to the substrate and the crystal grain size is dependent on the type of substrate and the preparation conditions. All the films showed a (002) preferential orientation with the c-axis perpendicular to the substrate surface. The results obtained from X-ray diffraction spectra reveal that Er3+ ions successfully substitute for Zn2+ ions in the ZnO lattice.

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

սեղմիր այստեղ կապին հետևելու համար ; oai:arar.sci.am:337483

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Dec 13, 2023

Մեր գրադարանում է սկսած:

Dec 28, 2022

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

38

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/366420

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն