Object structure

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Date of publication:

2012

Volume:

65

Number:

3

ISSN:

0002-306X

Official URL:


Title:

Исследование температурных характеристик многоистоковой ферроэлектрической ячейки памяти

Other title:

Բազմաակունքային ֆերոէլեկտրական հիշող տարրի ջերմաստիճանային բնութագրերի ուսումնասիրությունը / Օ. Հ. Պետրոսյան, Լ. Մ. Տրավաջյան, Վ. Վ. Բունիաթյան։ Investigation on temperature characteristics of ferroelectric multisource memory cell / O. H. Petrosyan, L. M. Travajyan, V. V. Buniatyan.

Creator:

О. А. Петросян ; Л. М. Траваджян ; В. В. Буниатян

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Subject:

Technology

Uncontrolled Keywords:

масштабирование ; ячейка памяти ; поляризация ; температура ; моделирование ; коэрцитивное напряжение ; битовая линия

Coverage:

304-312

Abstract:

Исследованы характеристики остаточной поляризации и логических уровней напряжения считывания многоистоковой ферроэлектрической ячейки памяти (ЯП) при изменении температуры в широком диапазоне. Проведено моделирование ЯПс использованием программного пакетаHSPICE. Показано, что в предложенной нами многоистоковой ЯП имеется достаточный резерв для уменьшения площади ферроэлектрического конденсатора. Ուսումնասիրվել են հիշող տարրի մնացորդային բևեռացման և ընթերցման լարումների բնութագրերը ջերմաստիճանի փոփոխման լայն միջակայքում: Կատարվել է հիշող տարրի ջերմաստիճանային բնութագրերի մոդելավորում HSPICE ծրագրային փաթեթի միջոցով: Ցույց է տրված, որ առաջարկված հիշող տարրում դեռևս գոյություն ունի կոնդենսատորի մակերեսի փոքրացման պաշար: The characteristics of the remanent polarization and the logic levels of sensing voltages for multi source ferroelectric memory cell are investigated in a wide range of temperature. The simulation of the memory cell using the software HSPICE is performed. It is shown that our proposed memory cell has a sufficient reserve to reduce the area of ferroelectric capacitor.

Place of publishing:

Երևան

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2012-09-16

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 413

Digitization:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան