Object structure

Publication Details:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Journal or Publication Title:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Date of publication:

2011

Volume:

64

Number:

2

ISSN:

0002-306X

Official URL:


Title:

ՇՈՏԿԻԻ ԱՐԳԵԼՔՈՎ ԿԱՌԱՎԱՐՎՈՂ SiC ԴԱՇՏԱՅԻՆ ՏՐԱՆԶԻՍՏՈՐԻ ՀԱՂՈՐԴԱԿԱՆՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐԸ ՓՈՓՈԽԱԿԱՆ ԱԶԴԱՆՇԱՆԻ ՌԵԺԻՄՈՒՄ

Other title:

ИМПЕДАНСНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КАРБИДКРЕМНИЕВЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ / В. В. БУНИАТЯН, О. А. ПЕТРОСЯН, Г. А. АВЕТИСЯН, А. А. ТАМРАЗЯН. THE IMPEDANCE CHARACTERISTICS OF SCHOTTKY BARRIER MESFET’s / V. V. BUNIATYAN, O. H. PETROSYAN, G. A. AVETISYAN, A. A. TAMRAZYAN.

Creator:

Վ. Վ. Բունիաթյան ; Օ. Հ. Պետրոսյան ; Գ. Ա. Ավետիսյան ; Թամրազյան, Ա. Ա.

Contributor(s):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Subject:

Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering ; Technology

Uncontrolled Keywords:

սիլիցիում կարբիդ ; խառնուրդային խորը մակարդակ ; կպչուն մակարդակ ; աղքատացած շերտ ; լիցքակիրների արագության հագեցում:

Coverage:

189-198

Abstract:

Տեսականորեն հետազոտվել են սիլիցիում-կարբիդային Շոտկիի արգելքով կառավարվող դաշտային տրանզիստորի (ՇԱԴՏ) հաղորդականությունները փոփոխական ազդանշանի ռեժիմում, երբ հոսքուղու տիրույթում լեգիրացնող խառնուրդները խորն են և միաժամանակ կիսահաղորդչի արգելման գոտում առկա են կպչուն մակարդակներ (լիցքակիրների թակարդներ): Բնութագրերի ուսումնասիրման և հաշվարկման համար առաջարկվել է նոր, ավելի ընդհանուր մոդել:

Place of publishing:

Երևան

Publisher:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Date created:

2011-05-18

Type:

Հոդված

Format:

pdf

Call number:

АЖ 413

Digitization:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Location of original object:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան