Ցույց տուր կառուցվածքը

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2011

Հատոր:

64

Համար:

2

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:


Վերնագիր:

ՇՈՏԿԻԻ ԱՐԳԵԼՔՈՎ ԿԱՌԱՎԱՐՎՈՂ SiC ԴԱՇՏԱՅԻՆ ՏՐԱՆԶԻՍՏՈՐԻ ՀԱՂՈՐԴԱԿԱՆՈՒԹՅՈՒՆՆԵՐԸ ՓՈՓՈԽԱԿԱՆ ԱԶԴԱՆՇԱՆԻ ՌԵԺԻՄՈՒՄ

Այլ վերնագիր:

ИМПЕДАНСНЫЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ КАРБИДКРЕМНИЕВЫХ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ / В. В. БУНИАТЯН, О. А. ПЕТРОСЯН, Г. А. АВЕТИСЯН, А. А. ТАМРАЗЯН. THE IMPEDANCE CHARACTERISTICS OF SCHOTTKY BARRIER MESFET’s / V. V. BUNIATYAN, O. H. PETROSYAN, G. A. AVETISYAN, A. A. TAMRAZYAN.

Ստեղծողը:

Վ. Վ. Բունիաթյան ; Օ. Հ. Պետրոսյան ; Գ. Ա. Ավետիսյան ; Թամրազյան, Ա. Ա.

Աջակից(ներ):

Պատ․ խմբ․՝ Ա․ Գ․ Նազարով (1957-1964) ; Մ․ Վ․ Կասյան (1964-1988) ; Ռ․ Մ․ Մարտիրոսյան (1989-2017 ) ; Գլխավոր խմբ․՝ Վ․ Շ․ Մելիքյան (2018-)

Խորագիր:

Electrical engineering; Electronics; Nuclear engineering ; Technology

Չվերահսկվող բանալի բառեր:

սիլիցիում կարբիդ ; խառնուրդային խորը մակարդակ ; կպչուն մակարդակ ; աղքատացած շերտ ; լիցքակիրների արագության հագեցում:

Ծածկույթ:

189-198

Ամփոփում:

Տեսականորեն հետազոտվել են սիլիցիում-կարբիդային Շոտկիի արգելքով կառավարվող դաշտային տրանզիստորի (ՇԱԴՏ) հաղորդականությունները փոփոխական ազդանշանի ռեժիմում, երբ հոսքուղու տիրույթում լեգիրացնող խառնուրդները խորն են և միաժամանակ կիսահաղորդչի արգելման գոտում առկա են կպչուն մակարդակներ (լիցքակիրների թակարդներ): Բնութագրերի ուսումնասիրման և հաշվարկման համար առաջարկվել է նոր, ավելի ընդհանուր մոդել:

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2011-05-18

Տեսակ:

Հոդված

Ձևաչափ:

pdf

Դասիչ:

АЖ 413

Թվայնացում:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան