Օբյեկտ

Վերնագիր: p-GaSb/n-GaAs դիոդների հնարավոր կիրառումը ջերմալուսավոլտային սարքերում և արբանյակային արևային էլեմենտներում

Ստեղծողը:

Գ. Շ. Շմավոնյան

Տեսակ:

Հոդված

Հրապարակման մանրամասներ:

Լույս է տեսնում 1948 թվականից՝ տարին 4 անգամ։

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2004

Հատոր:

57

Համար:

2

ISSN:

0002-306X

Պաշտոնական URL:


Այլ վերնագիր:

Возможное применение p-gasb/n-gaas диодов в термофотовольтаических приборах и спутниковых солнечных элементах; Possible application of p-gasb/n-gaas diodes in thermophotovoltaic devices and satellite solar cells

Ծածկույթ:

300-304

Ամփոփում:

Բարելավվել են մետաղ-օրգանական գոլորշու փուլային էպիտաքսիայի եղանակով աճեցված p-GaSb/n-GaAs դիոդների բնութագրերը` դիոդները ենթարկելով ֆլուորաթթվային մշակման ու հետագա ջերմամշակման: Ուսումնասիրվել է ջրածնի ներմուծման և ջերմաստիճանի ազդեցությունը այդ դիոդների լուսային վոլտ-ամպերային բնութագրերի և լուսազգայունության վրա: Առաջարկվել են ֆլուորաթթվային ու ջերմային մշակման այնպիսի պայմաններ, որոնց դեպքում զգալիորեն լավացել է հետերոանցման որակը: Արդյունքում զգալիորեն բարելավվել են p-GaSb/n-GaAs դիոդի վոլտ-ամպերային բնութագրերը և լուսազգայունությունը, նպատակահարմար է դարձել դրանց կիրառումը ջերմալուսավոլտային սարքերում և արբանյակային արևային էլեմենտներում: Улучшены характеристики p-GaSb/n-GaAs диодов, изготовленные методом фазовой эпитаксии металл-органическим паром. С этой целью диоды подвергались травлению в плавиковой кислоте и дальнейшей термообработке. Исследовано влияние водорода и температуры на световые вольт-амперные характеристики и фоточувствительность этих диодов. Предложены такие условия травления в плавиковой кислоте и термообработки, при которых существенно улучшено качество гетероперехода. В результате существенно повышены вольт-амперные характеристики и фоточувствительность p-GaSb/n-GaAs диодов. Показана целесообразность их использования в термофотовольтаических приборах и спутниковых солнечных элементах. The characteristics of MOVPE grown p-GaSb/n-GaAs diodes are improved. For that purpose the diodes were treated in HF acid and subsequently annealed. The effect of hydrogen incorporation and temperature on the I-V curves under illumination and on spectral response of those diodes are investigated. Terms of HF dip and subsequent annealing are suggested, according to which the quality of heterojunction is improved. As a result of this the I-V characteristics and spectral response of p-GaSb/n-GaAs the diodes have essentially improved, their application has become expedient in thermophotovoltaic devices and satellite solar cells.

Հրատարակության վայրը:

Երևան

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ հրատ.

Ստեղծման ամսաթիվը:

2004-12-15

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:32176

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Dec 13, 2023

Մեր գրադարանում է սկսած:

Mar 3, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

4

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/35850

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն