Օբյեկտ

Վերնագիր: Исследование р-n-перехода с глубокими уровнями

Այլ վերնագիր:

Խորը մակարդակներով p-n անցման հետազոտությունը; Investigation of the p-n junction with the deep levels

Ծածկույթ:

78-83

Ամփոփում:

Проведено исследование рекомбинационного тока через p-n-переход, обусловленного безызлучательным захватом носителей тока на глубокий уровень в области пространственного заряда (ОПЗ). Найдена полуэмпирическая формула, позволяющая определить параметры глубоких уровней в ОПЗ. Հետազոտված է p-n անցումում վերամիավորման հոսանքը, որը պայմանավորված է տարածական լիցքի տիրույթում (ՏԼՏ) խորը մակարդակի վրա հոսանքի լիցքակիրների չճառագայթող զավթումով: Գտնված է կիսափորձնական բանաձև, որը թույլ է տալիս որոշել խորը մակարդակների պարամետրերը ՏԼՏ-ում: The recombination current of the p-n–junction associated with the non-radiative capture of carriers to deep level in space charge region(SCR) is studied. A semiempirical formula permitting to determine parameters of deep levels in SCR is found.

Հրատարակիչ:

ՀՀ ԳԱԱ

Ստեղծման ամսաթիվը:

2002-04-20

Ձևաչափ:

pdf

Նույնացուցիչ:

oai:arar.sci.am:31974

Ամսագրի կամ հրապարակման վերնագիր:

ՀՀ ԳԱԱ և ՀՊՃՀ Տեղեկագիր. Տեխնիկական գիտություններ =Proceedings of the NAS RA and SEUA: Technical Sciences

Հրապարակման ամսաթիվ:

2002

Հատոր:

vol. 55

Համար:

№ 1

ISSN:

0002-306X

Բնօրինակի գտնվելու վայրը:

ՀՀ ԳԱԱ Հիմնարար գիտական գրադարան

Օբյեկտի հավաքածուներ:

Վերջին անգամ ձևափոխված:

Nov 8, 2020

Մեր գրադարանում է սկսած:

Mar 3, 2020

Օբյեկտի բովանդակության հարվածների քանակ:

0

Օբյեկտի բոլոր հասանելի տարբերակները:

https://arar.sci.am/publication/35637

Ցույց տուր նկարագրությունը RDF ձևաչափով:

RDF

Ցույց տուր նկարագրությունը OAI-PMH ձևաչափով։

OAI-PMH

Հրատարակության անուն Ամսաթիվ
Исследование р-n-перехода с глубокими уровнями Nov 8, 2020

Օբյեկտի տեսակ՝

Նման

Այս էջը օգտագործում է 'cookie-ներ'։ Ավելի տեղեկատվություն